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第5章 非平衡载流子 5.1 非平衡载流子的注入与复合 5.2 非平衡载流子的寿命 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 5.5 陷阱效应 5.6 载流子的扩散运动 5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式 5.8 连续性方程式 *5.9 硅的少数载流子寿命与扩散长度 τ与温度T的关系（设n 型半导体，且Et位于禁带上半部） 1、低温EF Et 2、中温EF Et 3、高温EF≈Ei 5.4 复合理论12 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.4 复合理论13 俘获截面——复合中心复合载流子的本领 rn、rp均可用σ_、σ+来替换，σ±＝10-13~ 10-17cm2 单位时间内某一个复合中心俘获 电子（或空穴）的数目 载流子热运动速度 电子俘获率=rnn(Nt-nt) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.4 复合理论14 三、表面复合 现象 表面经过细磨的样品，载流子寿命短； 细磨后再经过化学腐蚀的样品，载流子寿命长； 同样表面情况的样品，样品小，载流子寿命短 —— 表面有促进载流子复合作用 表面复合是指在样品表面发生的复合过程 表面处的杂质和表面特有的缺陷也在禁带中形成复合中心能级 ——表面复合是一种间接复合 表面态，通常都是深能级 ——有效的复合中心 实际样品的寿命是体内复合与表面复合的综合效果 总复合概率 τ s— 表面复合寿命 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 空穴表面复合速度 5.4 复合理论15 表面复合率（Us） ——单位时间内通过单位表面积复合掉的电子-空穴对数 =s·(Δp) s 量纲 ——表面处的非平衡载流子(Δp)s都以s大小垂直速度流出了表面；s— 表面复合速度 考虑一 n型半导体，有 表面复合速度：Ge：102 ~ 106 cm/s; Si：103 ~ 5×103 cm/s Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.4 复合理论16 表面复合的重要实际意义 另： 1、非平衡载流子寿命，不仅与材料种类有关，还与杂质原子（尤其是深能级杂质）、表面状态有关。 2、晶体中的位错也能形成复合中心能级，影响载流子寿命——寿命值能够反映晶格的完整性，是衡量材料质量的重要指标； τ——“结构灵敏”参数 1、较高的表面复合速度会使更多的注入载流子在表面复合消失，影响器件性能——减小表面复合； 2、利用金属探针测试样品表面时，要设法增大表面复合，以减小探针注入效应——增大表面复合； Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.4 复合理论17 四、俄歇复合 概念 载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子-空穴复合时，把多余的能量传给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回到低能级时，多余的能量以声子形式发出，这种复合称为俄歇复合。 带间Auger复合 俄歇复合特点 1、是非辐射复合； 2、是三粒子过程； 3、带间俄歇复合在窄禁带半导体中及高温情况下起重要作用；与杂质有关的俄歇复合常常是影响半导体发光器件的发光效率的重要原因。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client