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3.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） PN 结加反向电压（反向偏置） * 中原工学院信息商务学院 * 电子技术基础 （模拟部分） 中原工学院信息商务学院 第3章 半导体二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体的基本知识 根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分导体、绝缘体和半导体。 导体：容易导电的物体。如：铁、铜、铝等 绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。在一定 条件下可导电。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及 砷化镓GaAs等。 半导体除了在导电能力方面与导体和绝缘体不同外，它还具有不同于其他物质的特点。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变 (可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极 管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏 元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成温度敏 感元件，如热敏电阻)。 半导体的特性： 3.1.2 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge。硅和锗都是四价元素，在原子最外层轨道上有四个价电子。本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。 半导体处于热力学温度0K时，半导体中没有自由电子。当获得一定能量（光、热）后，少量价电子即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发（或热激发）。 本征半导体的导电机理 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动形成了空穴电流，它们的方向相反。不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的，因此，空穴的导电能力不如自由电子。 自由电子和空穴都称为载流子。 3.1.3 杂质半导体 本征半导体的导电能力很差，如果在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。 1. 掺入五价元素 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体,因此五价杂质原子也称为 施主杂质。 多余价电子在常温下即可变为自由电子 磷原子，失去一个电子变为正离子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体,三价杂质 因而也称为受主杂质。 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 2. 掺入三价元素 B 空穴 硼原子,接受一个电子变为负离子 N型半导体中的导电粒子有两种： 自由电子—多数载流子 空穴——少数载流子 P型半导体中的导电粒子有两种： 自由电子—少数载流子， 由热激发形成 空穴——多数载流子，主要由掺杂形成 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 3.2 PN结的形成及特性 3.2.1 PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强,漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄 扩散的结果使空间电荷区变宽。 在一块本征半导体两侧通过 扩散不同的杂质,分别形成 N 型半 导体和P 型半导体