第一章：半导体器件精选.ppt

温度升高时，对于正向偏置的发射结，如果保持正向电流iE不变，那么正偏电压必须要减小。无论硅管还是锗管，每升温1°，减小2～2.5mV/℃，可以表示为： 小结： （1）JFET是利用uGS 所产生的电场变化来改变沟道电阻的大小，即利用电场效应控制沟道中流通的电流大小。 （2）场效应管为一个电压控制型的器件。 （3）在N沟道JFET中，VP为负值。 在P沟道JFET中，VP为正值。 例 在图示电路中，已知场效应管的 ；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？ (a) uGS=-8V, uDS=4V, (b) uGS=-3V, uDS=4V, (c) uGS=-3V, uDS=1V, 解（a）因为uGSVP , 管子工作在截止区。 G D S VDD ＋ iG RD VGG iD － ＋ － uDS ＋ － uGS RG uDG G D S （b）因为uDG= uDS –uGS= 7V uDG∣VP ∣ 管子工作在放大区 （c）因为uDG= uDS –uGS= 4V uDG∣VP ∣ 管子工作在可变电阻区 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，