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失效分析总结
一， CMOS电路闩锁失效（1）
? 闩锁（latch-up）是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构被触发导通，在电源和地之间形成低阻大电流通路的现象。
? MOS集成电路使用的主要失效机理
1）.典型的闩锁效应电源对地的I－V曲线
二. 金铝化合物失效（键合失效机理）－解释
1）. 金和铝键合，在长期贮存和使用后，因化学势不同，它们之间能生成AuAl2，AuAl， Au2Al，Au5Al2，Au4Al等金属间化合物（IMC）。
2）. 这几种IMC的晶格常数、膨胀系数、形成过程中体积的变化、颜色和物理性质是不同的，且电导率较低。AuAl2、Au5Al2、Au4Al呈浅金黄色，AuAl2呈紫色，俗称紫斑，Au2Al呈白色，称白斑-。
3）. 在键合点处生成了Au－Al间IMC之后，键合强度降低、变脆开裂、接触电阻增大，器件出现性能退化或引线从键合界面处脱落导致开路。
三. 柯肯德尔效应（Kirkendall）
1）. 在AuAl键合系统中，若采用Au丝热压焊工艺，由于高温（300℃以上），金向铝中迅速扩散，金的扩散速度大于铝扩散速度，结果出现了在金层一侧留下部分原子空隙，这些原子空隙自发聚积，在金属间化合物与金属交界面上形成了空洞，这称为柯肯德尔效应。
2）. 当柯氏效应－空洞增大到一定程度后，将使键合界面强度急剧下降，接触电阻增大，最终导致开路。
四. 其它键合失效模式
五．芯片焊接失效模式
六. 塑封对器件特性的影响
七.各种异常击穿分析
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