第六章电子衍射精选.ppt

一方面可借助菊池线对的位置获取有关精确的晶体取向信息；另一方面通过观察菊池线对的运动方向，可获得晶体转动方式的可靠指示。 几个菊池线对中线的交点， 称菊池极，是晶带轴在屏 上的投影点。将不同指数 的菊池线对按照位置关系 拼在一起，构成“菊池图”。 “菊池图”在衍射分析中非 常有用。利用“菊池图”与 试验得到的菊池衍射图对 比，可直接确定晶体取向； 可以控制样品转动的方向 和角度。 晶体取向与菊池图 返回 取与透射斑O距离最近和次近的两个不共线的斑点A、B，与O点连接矢量分别为R1、R2，构成一平行四边形。其中： R1 ＜R2 ＜ R3 ， R3 为短对角线。三个矢量之间满足矢量运算法则，即 R3=R1+R2 若A(h1k1l1),B(h2k2l2), 则C(hckclc)点指数满足 关系： D(h3k3l3)点指数 hc=h1－h2， h3=h1＋h2 kc=k1－k2， k3=k1＋k2 lc=l1－l2 ， l3=l1＋l2 A B C D R1 R2 O R3 非对称入射 不同入射条件下，菊池线对的位置 a) 对称入射， s+g=s-g b) s+g=0 c) s+g＞0 d) s+g＜0 小 结 2、单晶体电子衍射花样特征及标定 1）花样特征 2）标定方法：约化平行四边形 3、多晶电子衍射花样特征及标定 1）花样特征 2）标定方法 1、电子衍射 1）特点 2）原理：倒易点阵扩展、基本公式 小 结 4、复杂电子衍射花样→“简单花样”+额外斑点或图样 1）高阶劳厄斑点 2）超点阵斑点 3）二次衍射斑点 4）孪晶斑点 5）菊池花样 电子衍射基本公式 Rd=Lλ（C） 结论：单晶电子衍射花样是落在反射球上的倒易点组成图像的放大像 单晶体电子衍射原理 及花样特征 单晶电子衍射的3个特点 单晶电子衍射花样是（uvw）0*的放大像。 高阶劳厄斑 Al,FCC,a=4.4049,RA=RB=16.2,Rc=26.5, ( RA RB)=70.50, ( RA RC)=35.50, 求A、B、C等的指数及[UVW]，Ll及误差。 A B C 如图示，散射角为α的非弹性散射波与(hkl)面成布拉格角，衍射方向为AQ，散射角为β的散射波恰与(hkl)成布拉格角，衍射方向BP。由于β＞α，所以I β ＞I α ，而衍射强度正比于入射强度，因此IM＞IQ。 在OA方向传播的非弹性散射波的强度为I α ，由于（hkl）衍射损失了IQ ，又由于（hkl）衍射补充了IP ，相应于原来的背景强度减少了（ IQ－IP ），所以与周围背景相比变暗。 菊池花样 P Q A’ O 菊池花样 在OB方向传播的非弹性散射波的强度为I β ，由于（hkl）衍射损失了IP ，又由于（hkl）衍射补充了IQ ，相应于原来的背景强度净增加了（ IQ－IP ），所以与周围背景相比变亮。 P Q A’ O 返回 倒易平面与晶带 倒易平面与晶带轴关系示意图 r[uvw] 电子衍射 单晶电子衍射花样形成原理 2q 试样 入射束 厄瓦尔德球 倒易点阵 底板 O* g 选区衍射 三个平面重合 两个平面重合 同一立方ZrO2晶体倾转到不同方位时的电子衍射斑点 返回 高阶劳埃斑 高阶劳埃斑 020 000 200 220 返回 高阶劳埃斑 (1)薄膜样品的厚度 样品越薄，倒易阵点扩展量就越大，长的倒易杆容易与反射球面相交。 (2)样品晶体的晶格常数 晶格常数较大时，相应的倒易点阵的倒易面间距较小，使高层倒易平面上的倒易阵点与反射球面相交的机会增多。 (3)晶体取向 晶带轴方向偏离入射束方向的程度增大，使倒易平面倾斜的程度增大、也将使高层倒易平面上的阵点与反射球面相交的机会增大。 (4)晶带轴指数 晶带轴指数增大，高阶倒易平面上的能与反射求相交截的倒易点（杆）数目减少，不易获得高阶劳厄斑。 (5)加速电压 加速电压降低，电子束的波长λ增大，反射球半径1/λ减小，易获得高阶劳厄带斑点。 返回 二次衍射斑 在fcc和bcc晶体中，二次衍射不会导致额外斑点。因为对于bcc，F≠0的条件是h+k+l=偶数。若任意两组F≠0的晶面组（h1k1l1）和（h2k2l2）之间发生二次衍射，由（h3k3l3）= （h1k1l1）+ （h2k2l2）可知， （h3k3l3）仍然满足h3+k3+l3=偶数，即（h3k3l3）晶面本来就能够发生衍射。同样，对于fcc结构，F ≠ 0的条件是h、k、l全奇或全偶，由两个全奇或全偶的指数（h1k1l1）和（h2k2l2）决定的指数（h3k3l3）仍然是全奇或全偶，即（h3k3l3）晶面本就能够产生衍射。 返回 单