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放大电路的组成原则 1. 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结反偏。 2. 正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。 3. 输入信号能通过输入回路作用于放大管。 4. 输出回路将变化的电流作用于负载。 放大电路的组成原则 1. 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结反偏。 2. 正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。 3. 输入信号能通过输入回路作用于放大管。 4. 输出回路将变化的电流作用于负载。 1、三极管的静态工作点必须合适 2、交流信号在放大电路中能顺畅传输 2.2.4 常见的两种共射放大电路 1. 直接耦合共射放大电路 信号源和放大电路以及放大电路和负载的连接关系 2.2.4 常见的两种共射放大电路 1. 直接耦合共射放大电路 IBQ I1 I2 uI=0 放大元件iC=? iB,工作在放大区,要保证集电结反偏,发射结正偏。 2. 阻容耦合共射放大电路 作用:使发射结正偏,并提供适当的静态工作点。 集电极电源,为电路提供能量。并保证集电结反偏。 集电极电阻,将变化的电流转变为变化的电压。 耦合电容: 电解电容,有极性。 大小为10?F~50?F 作用:隔离输入输出与电路直流的联系,同时能使信号顺利输入输出。 * 模拟电子技术基础 信息科学与工程学院·基础电子教研室 漏极 D 源极 S 栅极 G 1.4 场效应管 ( FET ) 【 】 内容回顾 1.4.1 结型场效应管的结构和工作原理 N沟道 一、结构和工作原理 P沟道 二、结型场效应管的特性曲线 1、场效应管的输出特性 【 】 内容回顾 二、结型场效应管的特性曲线 2、场效应管的传输特性 【 】 内容回顾 三、绝缘栅型场效应管( MOS 管) D S B G N 沟道增强型场效应管 【 】 内容回顾 D S B G P沟道增强型场效应管 输出特性曲线 转移特性曲线 符号 类型 P沟道增强型绝缘栅型场效应管 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 注意: UGS(th) N 0 UGS(th) P 0 NMOS管为电压控制器件,当 uGSUGS(th) N ,MOS 管导通。 PMOS 管为电压控制器件,当 uGS UGS(th) P ,MOS 管导通。 第二章 基本放大电路 第2章 基本放大电路的主要内容 2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2.2 基本共射放大电路的基本工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.4 放大电路静态工作点的稳定 2.5 晶体管单管放大电路的三种基本接法 2.6 晶体管基本放大电路的派生电路 2.1.1 放大的概念 放大的本质是能量的控制和转换; 放大是对变化量而言的,即放大的对象是变化量。 放大的前提是不失真。 放大的特点是:能量的放大; 2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2.1.2 放大电路的性能指标 放大电路常以正弦波作为测试信号。 放大电路测试示意图 一、放大倍数 ------衡量放大电路放大能力的指标。 定义为输出量(电压或电流)和输入量(电压或电流)的比值。 (电压放大倍数) (转移电阻) (电流放大倍数) (转移电导) 输出量(电压或电流)和输入量(电压或电流)的比值。 二、输入电阻Ri ------体现了放大电路对信号源的影响程度 (或向信号源索取电流的能力)。 即:Ri越大,Ii 就越小,ui就越接近uS 三、输出电阻Ro ------体现了放大电路的带负载能力。 RO越小, UO 的变化越小,带负载能力越强。 如何确定电路的输出电阻RO ? 步骤: 1. 所有的电源置零 (将独立源置零,保留受控源)。 2. 加压求流法。 方法一:计算。 方法二:测量。 Uo 1. 测量开路电压。 ~ Ro Us 2. 测量接入负载后的输出电压。 ~ Ro Us RL Uo 步骤: 3. 计算。 四、通频带 -----通频带用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。 fL -----下限截止频率 fH -----上限截止频率 fbw-----通频带 ( fbw =fH - fL ) -----中频放大倍数 2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.2.1 基本共射放大电路的组成及各元件的作用 输入回路与输出回路以发射极为公共端,故称之为共射放大电路,并称公共端为“地”。 2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.2.1 基本共射放大电路的组成及各元件的作用 2.2 基本共射放大电路的工作原理 1、T:放大电路的核心元件,具有电流放大作用, iC=? iB 。 2.2.1 基本共射放大电路的组成及各元件的作用 2.2 基本共射放大电路的工作原理 1. T:放大作用 2. VBB,Rb:保证发射结正偏 并提供合适的
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