硅集成电路复习提纲(最终版).doc

集成电路工艺基础复习 绪论 1、Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。 2、特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 3、提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备硅片：答：区熔法制备的硅片质量更高，因为含氧量低。目前8英寸以上的硅片，经常选择选择CZ法制备，因为晶圆直径大。 4、MOS器件中常使用什么晶面方向的硅片，双极型器件呢？答：MOS器件：100 Si/SiO2界面态密度低；双极器件：111的原子密度大，生长速度快，成本低。 氧化 1、 sio2的特性 二氧化硅对硅的粘附性好，化学性质比较稳定，绝缘性好 2、 sio2的结构，分为结晶形与不定形二氧化硅 3、 什么是桥键氧和非桥键氧 连接两个Si-o四面体的氧称为桥键氧；只与一个硅连接的氧称为非桥键氧。 4、 在无定形的sio2中，si、o那个运动能力强，为什么？氧的运动同硅相比更容易些；因为硅要运动就必须打破四个si-o键，但对氧来说，只需打破两个si-o键，对非桥键氧只需打破一个si-o键。 5、 热氧化法生长sio2过程中，氧化生长的方向是什么？在热氧化法制备sio2的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过sio2层，到达si-sio2界面，与硅反应生成sio2，而不是硅向sio2外表面运动，在表面与氧化剂反应生成sio2 6、 Sio2只与什么酸、碱发生反应？只与氢氟酸、强碱溶液发生反应 7、 杂质在sio2中的存在形式，分别给与描述解释，各自对sio2网络的影响 能替代si-o四面体中心的硅，并能与氧形成网络的杂志，称为网络形成者；存在于sio2网络间隙中的杂志称为网络改变者。 8、 水汽对sio2网络的影响 水汽能以分子态形式进入sio2网络中，并能和桥键氧反应生成非桥键氢氧基，本反应减少了网络中桥键氧的数目，网络强度减弱和疏松，使杂志的扩散能力增强。 9、 为什么选用sio2作为掩蔽的原因，是否可以作为任何杂质的掩蔽材料为什么？ 10、制备sio2有哪几种方法？热分解淀积法，溅射法，真空蒸发法，阳极氧化法，化学气相淀积法，热氧化法等。 11、热生长sio2的特点：硅的热氧化法是指硅与氧气或水汽等氧化剂，在高温下经化学反应生成sio2 【热生长：在高温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，得到一层热生长的SiO2 ；淀积：通过外部供给的氧气和硅源，使它们在腔体中方应，从而在硅片表面形成一层薄膜。】 12、生长一个单位厚度的sio2需要消耗0.44个单位的si 14、实际生产中选用哪种生长方法制备较厚的sio2层？采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式 15、由公式2.24，2.25分析两种极限情况，给出解释 其一是当氧化剂在sio2中的扩散系数Dsio2很小时（Dsio2《ksx0，则的Ci→0，C0→C*，在这种情况下，sio2的生长速率主要由氧化剂在sio2中的扩散速度所决定，称这种极限情况为扩散控制；其二，如果扩散系数Dsio2很大，则C1=C0=C*/（1+ks/h），sio2生长速率由si表面的化学反应速度控制，称这种极限情况为反应控制。 17、sio2生长厚度与时间的关系，分别解释 x02+Ax0=B（t+τ），当氧化时间很长，即t》τ和t》A2/4B时，则x02=B（t+τ），这种情况下的氧化规律称抛物型规律，B为抛物型速率常数，sio2的生长速率主要由氧化剂在sio2中的扩散快慢决定；当氧化时间很短，即（t+τ）《A2/4B，则x0=B（t+τ）/A，这种极限情况下的氧化规律称线性规律，B/A为线性速率常数，具体表达式B/A=-kshc*/(ks+h)N1。 18、氧化速度与氧化剂分压、温度成正比? 19、晶向对氧化速率的影响：当氧化温度升高时，晶面取向对线性氧化速率的影响在减小，甚至消失；如果氧化时间很长，晶面取向对线性氧化速率的影响也就根本不起作用。 21、什么是位阻现象？生成反应物本身的阻挡价键与反应表面的倾角导致反应不能流畅无阻进行的现象。 22、什么是分凝现象？解释硼对氧化速率的影响。：si氧化后原本在si中的杂质跑入其他材料重新排列叫做分凝现象；在分凝过程中有大量的硼从硅中进入并停留在sio2中，因而sio2中非桥键氧的数目增加，从而降低了sio2的结构强度，氧化剂不但容易进入sio2，而且穿过sio2的扩散能力也增加，因此抛物型速率常数明显增大，而对线性速率常数没有明显的影响。 24、纳和氯对氧化的影响 ：当氧化层中如果含有高浓度钠时，则线性和抛物型氧化速率都明显变大；在干氧氧化的气氛中加氯，氧化速率常数明显变大。简述Na+对器件性能的影响以及降低Na+的措施。答： 氧化层中的Na+即使在低于200℃的温度下也有很高的扩散系数，而且以离子状态存在，其迁