电子材料第4章厚膜工艺20120618要素.docVIP

第4章 厚膜工艺 厚膜是指在基板上厚度为几微米到数十微米的膜层。在微电子领域中，用厚膜技术在基板上形成导体电阻和各类介质膜层并在上组装分立的半导体器件芯片单片集成电路或微型元件，封装混合集成电路。混合集成电路能耐受较高的电压、较大的电流和功率用无线产品高可靠小批量的军用、航空航天产品中。 本章主要介绍厚膜。 §.1 厚膜浆料 粘结相将功能相粘结在一起，并使膜层与基片牢固结合。粘结相通常是玻璃釉粉的混合物。玻璃釉粉是由各种金属氧化物在高温下熔融淬火而得的玻璃粉。浆料的流变性 浆料的流变性和粘度是控制并保证浆料适于的最重要特性之一μm以下，最大也应小于5μm。 厚膜浆料的制备 厚膜浆料的制备可以分成原料加工、混合和检验等过程。 图4.1.1为厚膜浆料的制备流程图。浆料配制前，应对无机粉末进行细化处理，并使其表面活化。有机载体的配制方法一般是先将有机溶剂和表面活化剂等添加剂混合，再在搅拌过程中加入增稠剂；有时需要加热以加速增稠剂的溶解，溶解完成之后冷却，便得到有机载体。将制得的无机粉末和有机载体进行混合、研磨、辊轧，使无机粉末均匀分散到有机载体当中，便得到均一细腻的膏状厚膜浆料。 厚膜浆料的检验、测试通常包括粘度、固体含量、细度、浆料外观等物理性能，以及影响厚膜电性能的方阻、附着力、浸润性、温度特性等。浆料的流动性必须适度，流动性太大容易渗开，图形摸糊，分辨率差；流动性太小，丝网印刷后会留下痕迹。厚膜浆料的粘度一般约105cP 图4.1.1 厚膜浆料的制备流程 表4.1.1 常见厚膜浆料的粘度 浆料类型 粘度范围 (×105 cP) 一般导体浆料 1.7~3 高触变性细线浆料 5~16 常用电阻浆料 2~3 介质浆料（要求流动性好） 1.2~2 感光性导体浆料 2~3 按照浆料的功能和性能，厚膜浆料分为导体浆料、电阻浆料、介质浆料、磁性浆料等。 4.1.2 导体浆料 厚膜导体是厚膜电路的一个重要组成部分，主要作电路的内部互连线、多层布线、外贴元器件的焊区、电容器电极、电阻器引出端、低阻值电阻器、电感器、厚膜微带等。导体浆料的导电相(功能相)通常以球形、片状或纤维状分散于基体中，构成导电通路。导电相决定了导体浆料的电性能，并影响厚膜烧成后的物理和机械性能。 根据材料的化学性质，厚膜导体浆料可以分为贵金属导体浆料和贱金属导体浆料。 1. 贵金属导体浆料 贵金属导体浆料是以Ag、Au、Pd、Pt等金属及其合金作为导电相的导体，其性能稳定、工艺成熟。目前应用得较普遍的贵金属导体有Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au-Pd、Au-Pt、Au等。 Ag是导电性能很好的金属材料，价格比Au、Pd、Pt等其它贵金属低，在生产中得到广泛的应用。但Ag导体作为厚膜混合电路的导电带、电容器电极及电阻的端接材料时，会产生Ag+的电迁移问题，造成元器件失效。电迁移是指在湿热的环境中，在直流电场作用下，金属呈离子形态从阳极到阴极，产生沉积的一个电化学过程。因此，厚膜导体浆料的功能相一般不用纯Ag导体。在银中添加氧化镉等，可以在一定程度上抑制银离子迁移。 Ag-Pd导体浆料是目前厚膜电路中应用得最广泛的一种导体浆料。在Ag中加入一定量的Pd，制备的Ag-Pd导体浆料可有效地抑制银离子的迁移。Ag-Pd导体浆料与目前常用的电阻浆料相容性好，导体中Pd含量高时可与Pd-Ag电阻同时烧成，Pd含量低时可以和钌系电阻同时烧成。在Ag-Pd导体浆料中，Ag-Pd导体的电阻随银含量增多而降低，但银含量过多不仅会引起Ag+的迁移，还会使浸焊性降低。Pd含量过多也会使焊料的湿润性变差。Ag-Pd导体中Pd含量通常为15~25wt%，典型值为20wt%。为改善Ag-Pd导体对焊料的湿润性和提高导体膜与基板的附着强度，在导体中可添加Bi2O3。 为降低Ag-Pd导体的成本而开发的Ag-Pt导体，是在Ag中加1~3wt％Pt，取代Pd而制成。Ag-Pt导体的抗焊料侵蚀性能优良，但存在银离子迁移问题。如果制成Ag-Pd-Pt导体，就可以较有效地防止银离子的迁移。Ag-Pt导体也有不用玻璃粘结相而加入一定量的CuO、CdO等，制成无釉导体。 Au导体浆料主要用于高可靠性或多层布线电路、微波混合集成电路、与薄膜技术相配合的电路，也可用作管芯键合或导线键合的焊区。在各种导体浆料中， Au浆料印出的导线最微细，目前可达到的线宽与线间隔为50~70(m。但是，玻璃粘结型的普通Au导体在反复烧成时，膜与基板的附着强度下降，还会使玻璃上浮在膜的表面，焊接性能变差。无釉Au导体采用TiO2、CuO、CdO等金属氧化物来代替玻璃作为粘结相，烧成时这些氧化物与氧化铝基板发生化学反应，生成CuAl2O4、CdAl2O4等尖晶石型化合物，起到粘结的作用。无釉Au导体在多次烧结时无普