《第九讲-2 MEMS.pptVIP

二、表面微加工 表面微加工技术主要靠在基底上逐层添加材料而构造微结构 表面微加工器件是由三种典型的部件组成：⑴牺牲层；⑵微结构层；⑶绝缘层部分 MEMS 器件的表面微加工流程 牺牲层技术 概念：在微机械加工中，通常将两层薄膜中的下面一层腐蚀掉，只保留上面的一层 属硅表面加工技术。 是加工悬空和活动结构的有效途径。 采用此种方法可无组装一次制成具有活动部件的微机械结构。 影响牺牲层腐蚀的因素 牺牲层厚度 腐蚀孔阵列 塌陷和粘连及防止方法 酒精、液态CO2置换水； 依靠支撑结构防止塌陷。 表面微加工中的力学问题 表面微加工技术存在着三个主要的力学 问题： ⑴ 层间黏附；⑵ 界面应力；⑶静态阻 力 层间的粘附 不管是相同的材料还是不同的材料，只要两层材料结合在一起，就可能存在一个分离层 双层结构容易在界面处造成层与层之间的脱落 界面应力 在双层结构中有三种典型的应力 1.材料的热膨胀系数不匹配引起的 热应力 双层结构达到非常高的操作温度时，剧烈的 热应力会使SiO2薄层从Si基底脱离 2.残余应力 在微机械加工中是固有的 3.存在于薄膜结构中本身的应力 由微加工过程中原子结构局部变化产生的 例如，过量掺杂会导致结构在表面微加工 后产生强大的残余应力 粘连 两个分离薄片粘附在一起的现象称为 粘连； 粘连是表面微加工中最严重的问题； 在牺牲层从被分离的材料层中去除时 发生 解决方法 1、最简单的方法式在漂洗和吹干期间，尽量 防止微器件与基体的接触，从液体中抽出器 件时尽量减少器件上的作用力，在最后一道 工序中采用低表面张力的液体。 2、超临界干燥 3、低于三相点 应用举例 利用牺牲层制造硅梁的过程 B、局部氧化生成SiO2利用局部氧化技术，在窗口处生成一层SiO2膜，作为牺牲层。 C、淀积多晶硅并刻微梁在SiO2层及剩下的Si3N4层上淀积一层多晶硅膜，厚约2um D、横向腐蚀形成空腔腐蚀掉SiO2形成空腔，即得到多晶硅桥式可活动的硅梁 表面微机械加工应用材料 表面微机械加工要求所应用的材料是一组相互匹配的结构层、牺牲层材料 结构层材料必须满足应用所需的电学和机械性能 牺牲层材料应有好的粘结力、低的残余应力，同时既满足工艺条件又不产生相反作用等 1、多晶硅表面微机械加工 在多晶硅的表面微机械加工中，以掺杂或 未掺杂的多晶硅作为结构材料，氧化硅作为 牺牲层材料，氮化硅作为基体绝缘材料，HF 酸作为化学腐蚀剂组成一组合理的材料系。 1）、多晶硅材料的主要特点 多晶硅薄膜的生长温度低 多晶硅薄膜对生长衬底的选择不苛刻 可以通过对生长条件及后工艺的控制来调整多晶硅薄膜的电阻率 多晶硅薄膜作为半导体材料可以像单晶硅那样通过生长、扩散或离子注入进行掺杂 由于生长的膜厚可以较好的控制，与其他薄膜有良好的相容性，有利于制造多层膜结构 生长工艺的进步使得多晶硅薄膜可以大批量生长，且可以大面积生长 2）、多晶硅的淀积 方法： 低压化学气相淀积（LPCVD） 常压化学气相淀积（APCVD） 等离子体增强化学气相淀积（PECVD） 分子束淀积 3）、淀积态的薄膜应力 应用多晶硅制备微机械主要考虑问题之一是薄膜应力。 平均残余应力和应力梯度依赖于淀积条件；薄膜初始态的微结构对最终薄膜的性能产生明显的影响。 薄膜内存在的应力梯度形成一个挠矩，使细长条的微结构发生挠曲。 晶体薄膜的平均应力和应力梯度受结晶位向的影响较大，[110]位向，应力值最大；无规取向，应力值最低。 4）、未掺杂薄膜的退火 在微机械结构中，多晶硅薄膜的残余应力大大地影响着器件的性能。 LPCVD淀积的多晶硅多数呈本征压应力，该压应力不是由热错配造成的，而是成膜过程中硅晶粒长大的交互作用所致，要消除该压力，就必须在再结晶温度退火。 5）、原位掺杂 多晶硅掺杂与单晶硅相似，通过掺杂能改变多晶硅的电阻。 淀积多晶硅的同时进行掺杂称为原位掺杂。 2、二氧化硅表面微机械加工 二氧化硅是硅加工实验室中最常用的介质。它可以自身生长，也可以淀积，有无掺杂剂都行 热生长型SiO2常用作MOS门绝缘器。如果淀积的SiO2 中掺入磷，那就叫做磷硅玻璃（PSG） 掺入硼，那就叫做硼硅玻璃或BSG；在玻璃中掺入磷和硼的混合物，则常称为BPSG或低温氧化物（LTO） IC工艺中，SiO2是一种多用途的基本材料 在多晶硅表面微机械中，SiO2的应用主要是作为牺牲层材料，另一个用途是作为多晶硅厚膜图形的刻蚀掩模 二氧化硅在较大的波长范围内具有透光性 二氧化硅的制备 在表面微机械中，广泛采用的SiO2生长和淀积方式是热氧化和LPCVD。 3、氮化硅 氮化硅只能用沸腾的磷酸（H3PO4混合物）才能进行有效湿法腐蚀，通常需要用等离子腐蚀来成