模拟集成电路基础解析.ppt

模拟电子技术 北京联合大学通信系 主讲：韩玺 xxthanxi@buu.edu.cn 本课程概述 本课程概述 第1章 绪 论 1904年发明了真空二极管——第一代电子器件诞生。 1948年研制出晶体三极管——第二代电子器件出现。 50年代末研制出小规模集成电路——第三代电子器件出现。 近几十年来集成电路的规模由: 电子技术学科按功能可划分为两类： (1).模拟电子技术：主要研究对模拟信号的处理。 模拟信号：信号幅值随时间连续变化。 (2).数字电子技术：研究逻辑电路，对数字信号进行处理。 数字信号：信号在时间、取值上都是离散的、不连续的。 1.2 放大器的基本概念 1.2 放大器的基本概念 放大器的性能指标 放大器的性能指标 放大器的性能指标 放大器的性能指标 放大器的性能指标 第2章 半导体器件基础 第一节 半导体基础知识 2.半导体的特性： (1).掺杂特性。(掺入杂质则导电率激增) (2).热敏特性。(温增则导电率显增) (3).光敏特性。(光照可增加导电率、产生电动势) 本征半导体 在杂质半导体中，尽管杂质含量很少，但提供的载流子以数量计算仍远大于本征半导体中载流子的数量。 例如：T=300k时，锗本征激发的电子浓度ni=2.5×1013/cm3,锗原子密度为4.4×1022/cm3,若掺入砷原子是锗原子密度的万分之一。 则施主杂质浓度为： ND=10-4×4.4×1022=4.4×1018/cm3 （比ni大十万倍） §1-3 光电二极管与发光二极管 §1-4 二极管的应用 三.稳压电路： 1. 输入电压变化时: Ui↑?Uo↑?IZ↑?IR↑?UR↑ ? Uo ↓ 2. 当负载变化时： RL↓?IL↑?UO↓(趋)?IZ↓?IR(不变)?UO(稳定) 晶体三极管有两大类型: 双极型三极管 场效应管（单极性） 一.晶体三极管的工作原理 （一） 晶体三极管的结构 （二） 晶体三极管内部载流子传输过程 （三） 晶体三极管的电流关系 （四） 晶体三极管的特性曲线 （五） 晶体三极管的参数 （六） 晶体三极管的型号 （一） 晶体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。 分两种类型:NPN型和PNP型： 1.符号：双极型三极管的符号如图: （二）.三极管内部载流子的传输过程 1.三极管具有放大功能的条件： 必须满足： (1).内部条件: 发射区浓度高，基区浓度低且薄。 (2).外部条件:发射结加正向电压,集电结加反向电压。 (1).由于发射结正偏: 有大量的电子从发射极向 基区扩散，形成的电流IEN。 IE= IEN＋ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有ICN IBN 四.半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 表 双极型三极管的参数 场效应管的主要参数及特点 场效应管的特点与分类 MOS场效应极管 MOS场效应管分为 UGS固定?沟道大小固定?沟道电阻固定? UDS与漏极电流ID之间呈线性关系。 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 当UGS＞UGS,th，且固定为某一值时，UDS的不同变化对沟道的影响。 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 2 电路元件制造工艺 基区扩散 1. NPN晶体管 在P型硅片衬底上扩散N＋隐埋层，生长N型外延层，扩散P型基区，N ＋型发射区和集电区 2. PNP晶体管 从隔离槽P＋上引出集电极，载流子沿晶体管断面 的垂直方向运动 2)横向PNP管 发射极和集电极横向排列，载流子沿断面水平运动。 3. 二极管 晶体管制作时，只要开路或短路某一PN结即得（如图） 4. 电阻 （1）金属膜电阻:温度特性好 （2）扩散电阻，按结构分： 基区电阻 50?－100K? ?＝±20% 5. 电容 利用SiO2保护层作绝缘介质，用金属板和半导体作电容极板,电容量与氧化物厚度成反比，与极板面积成正比，单位面积电容量不大，但漏电较小、击穿电压较高。 集成化元器件特点 绝缘栅场效应管