传感器课设霍尔位移传感器的设计.doc

太原理工大学 课 程 设 计 说 明 书 题目： 霍尔位移传感器的设计 学院（系）： 现代科技学院 年级专业： 测控1001 学 号： 学生姓名： 指导教师： 武娟萍 摘要：霍尔传感器是基于霍效应而将被测量转化成电动势输出的一种传感器。霍尔元件已发展成一个品种多样的磁传感器产品簇，并且得到广泛的应用。霍尔器件是一种磁传感器，用它可以检测磁场及其变化，可以在各种与磁有关的场合中使用。霍尔期间以霍尔效应为其工作原理。 本文主要研究霍尔位移传感器的设计。如图所示，被测物体分别与恒定电流I和恒定磁场B垂直。当被测物体相对于原来位置有微小位移变化时，会产生变化的磁通量，会在导体垂直于磁场和电流的两个端面之间产生电势差，即UH（霍尔电压）。本文主要研究微小位移与霍尔电压的关系来设计霍尔位移传感器。 关键字：霍尔传感器 位移 霍尔电压 目录 1 霍尔传感器的发展历程··············4 2 霍尔传感器的工作原理 2.1 霍尔效应·······················6 2.2 霍尔元件·······················6 2.3 霍尔元件的主要特性及材料···············7 3 霍尔元件的误差及补偿 3.1 霍尔元件的零位误差与补················3 3.2 微位移和压力的测量················· 7 3.3 霍尔位移传感器的设偿··············· ·7 3.4 霍尔元件的温度误差及补偿···············8 4测量电路原理与设计 4.1模型的建立······················10 4.2 放大电路设计····················11 4.3实验数据处理·····················12 5 LabVIEW显示模块设计············13 6 设计总结················· · ···15 7参考文献················ ···· ·16 1 霍尔传感器的发展历程 霍尔传感器是磁电效应的一种，这种现象是霍尔于1879年在研究金属的导体机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强的多，利用这种现象制成的各种霍尔元件。广泛的应用于工业自动化技术，检测技术及信息处理方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。尽管人们早在1879年就知道了霍尔效应，但直到20世纪60年代末，随着固态电子技术的发展，霍尔效应才开始为人们所应用。自此，霍尔传感器得到飞速发展，在汽车，工业，计算机等行业中得到广泛应用，如齿轮速度检测、运动与接近检测及电流检测等。霍尔传感器的出现。解决了很多让人棘手的问题。 100多年来，霍尔效应的应用经历了三个阶段： 第一阶段是从霍尔效应的发现到20世纪40年代前期。最初，由于金属材料中的电子浓度很大，而霍尔效应十分微弱，所以没有引起人们的重视。这段时期也有人利用霍尔效应制成磁场传感器，但实用价值不，到了1910年有人用金属铋制成霍尔元件，作为磁场传感器。但是，由于当时未找到更合适的材料，研究处于停顿状态。 第二阶段是从20世纪40年代中期半导体技术出现之后，随着半导体材料、制造工艺和技术的应用，出现了各种半导体霍尔元件，特别是锗的采用推动了霍尔元件的发展，相继出现了采用分立霍尔元件制造的各种磁场传感器、磁罗盘、磁头、电流传感器、非接触开关、接近开关、位置、角度、速度、加速度传感器、压力变送器、无刷直流电机以及各种函数发生器、运算器等， 应用十分广泛。 第三阶段是自20世纪60年代开始，随着集成电路技术的发展，出现了将霍尔半导体元件和相关的信号调节电路集成在一起的霍尔传感器。进入20世纪80年代，随着大规模超大规模集成电路和微机械加工技术的进展，霍尔元件从平面向三维方向发展，出现了三端口或四端口固态霍尔传感器，实现了产品的系列化、加工的批量化、体积的微型化。此外，20世纪70年代末，美国科学家发现了量子霍尔效应并因此获得了1985年的诺贝尔物理学奖。最近，韩国科学家报告了等离子霍尔传感器L1 J。 最近，F．Le Bihan等人研制了一种可测量大位移量的多晶硅薄膜场效应(rIFI’)霍尔传感器，其结构见图19a和图19b，它包括2个对称放置的rIFI’