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集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 第10章 氧化 大纲 1.引言 2.氧化膜 3.热氧化生长 4.生长设备 5.氧化工艺 6.质量测量 7.氧化检查及故障排除 1.引言 氧化：热生长法、淀积法 热预算(thermal budget):温度×时间 趋势：热预算下降，降低硅需要的热能 2.氧化膜 热生长氧化层的温度：750～1100℃ 热氧化硅-thermal oxide 氧化膜的性质 二氧化硅的原子结构:一个硅原子被四个氧原子包围着的四面体单元 无定形的二氧化硅在原子水平上没有长程有序的晶格周期 无定型的玻璃状结构 氧化膜的性质 二氧化硅熔点：1732 ℃ 热生长的二氧化硅能紧紧粘附在硅衬底上，具有优良的介质特性 自然氧化膜：4nm左右 氧化膜的用途 保护器件免划伤和隔离沾污 限制带电载流子场区隔离（表面钝化） 栅氧或存储单元结构中的介质材料 掺杂中的注入掩膜 金属导电层间的介质层 器件保护和隔离 硅片表面上生长的SiO2可以作为一种有效阻挡层，用来隔离和保护硅内的灵敏器件。 SiO2是坚硬和无孔（致密）的材料，可以用来有效隔离硅表面的有源器件。 坚硬的SiO2层将保护硅片免受在制造工艺中可能发生的划伤和损害。 表面钝化 热生长SiO2的一个主要优点是可以通过束缚硅的悬挂键，从而降低它的表面态密度，这种效果成为表面钝化。 表面钝化能防止电性能退化并减少由潮湿、离子或其他外部沾污物引起的漏电流的通路。 表面钝化 （续） 在硅表面生长的可以将硅表面的电活性污染物（可动离子沾污）束缚在其中。 钝化对于控制结器件的漏电流和生长稳定的栅氧化物很重要。 氧化层作为一种优质的钝化层，它要求均匀的厚度、无针孔和空隙等质量要求。 用栅氧化层做硅表面钝化层必须要有足够的氧化层厚度以阻止由于在硅表面电荷积累引起的金属层充电。这种充电会导致短路和其他一些不受欢迎的电学效应。 栅氧电介质 MOS技术中重要的栅氧结构 热生长获得栅氧——极薄的氧化层（2nm）做介质材料 栅氧：具有高的电介质强度（107V/cm)和高的电阻率(1017Ω-cm) MOS器件可靠性的关键是栅氧完整性——要求高质量、极好膜厚均匀性、无杂质 掺杂阻挡 二氧化硅可做为硅表面选择性掺杂的有效掩蔽层。 与硅相比，掺杂物在二氧化硅里的移动缓慢，只需要薄氧化层即可阻挡掺杂物。 薄氧化层（如15nm）也可以用于需要离子注入的区域。它可以减少对硅表面的损伤，还可通过减小沟道效应，获得对杂质注入时结深的更好控制。 扩散系数 B、P在SiO2中的扩散系数比在Si中的扩散系数小，所以。常常选择B、P作为扩散的杂质种类。而对于Ga、Al等杂质，情况则相反。 Au虽然在SiO2中的扩散系数很小，但由于在Si中的扩散系数太大，这样以来横向扩散作用也大，所以也不能选用。 金属层间的介质层 二氧化硅是微芯片金属层间有效的绝缘体 二氧化硅能阻止上层金属和下层金属间短路。 氧化物质要求无针孔和空隙 氧化硅的应用－1 氧化硅的应用－2 3.热氧化生长 氧化的化学反应 干氧： Si(固态)+O2(气态) SiO2(固态) 湿氧： Si(固态)+H2O(气态) SiO2(固态)+2H2(气态) 湿法氧化 两种方法的比较 湿氧反应会产生一层二氧化硅膜和氢气。潮湿环境有更快的生长速率是由于水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更快、溶解度更高。 湿氧反应生成的氢分子会束缚在固态的二氧化硅层内，使得氧化层的密度比干氧小。这种情况可通过在惰性气体中加热氧化物来改善，以得到与干氧生长相似的氧化膜结构和性能。 氧化生长模式 一旦在硅表面有二氧化硅生成，它将阻挡O2与Si原子直接接触，所以其后的继续氧化是O2通过扩散穿过已生成的二氧化硅层，向Si一侧运动到达界面进行反应而增厚的。 氧化生长模式 无论是干氧或者湿氧工艺，二氧化硅的生长都要消耗硅。硅消耗的厚度占氧化总厚度的0.46，这就意味着每生长1μm的氧化物，就有0.46μm的硅消耗（干、湿氧化略有差别）。 扩散 氧化物生长发生在氧分子通过已生成的二氧化硅层运动进入硅片的过程中——扩散 扩散是一种材料在另一种材料中的运动 对于固体、液体和气体，原子是从高浓度区域向低浓度区域扩散的，而且热能会促进这种扩散。 菲克定律(Fick’s laws)根据温度、浓度和扩散的激活能描述扩散材料的运动速率。 SiO2-Si界面 从单晶硅到无定形SiO2间的SiO2/Si界面上存在突变。 在SiO2分子中，每个硅原子和四个氧原子键合，每个氧原子和2个硅原子键合，但在界面上有些硅原子并没有和氧原子键合。距界面2nm以内的硅不完全氧化是带正电荷的固定氧化物电荷区。 界面处积累的其他一些电荷包括界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。前者由结构缺陷、氧化诱生