（精）微电子期中考试.pptVIP

期中习题讲解 主讲人：刘树培 一、填空题 1、TTL晶体管是（电流）控制元件，同时它也是（双）极型元件，因为其由（电子）和（空穴）参与工作。 2、CMOS晶体管是（电压）控制元件，同时它也是（?单）极型元件，因为其只有（电子）参与工作。 3、CMOS非门的主要参数有（阈值电压）、（传输延迟）、（噪声容限）等。 4、NMOS管工作于非截止的边界条件是（VGSVTN），其工作于临界饱和的条件是（?????????）。 5、构成CMOS逻辑门电路一般是采用（增强）型的MOS管。 6、复杂逻辑门电路是由PDN和PUN构成，其中PUN是（p）型晶体管，PDN是（n?）型晶体管。 二、简答题 1、简述增强型NMOS管的工作原理。 答：当在栅极加有足够大的正电压（VG0)后，使栅极下方的p型硅表面强反型，源区与漏区之间会形成n型导电沟道。如果在此时在漏源之间加偏置电压VDS,电子就会从源极流向漏极形成导通电流ID。并且在栅极电压为零时未形成反型导电沟道，必须施加电压才形成n型沟道的器件称为增强型NMOS管。 二、简答题 2.简述CMOS非门的工作原理及其VTC电压传输特性曲线。 CMOS非门由一个增强型NMOS管和一个增强型PMOS管构成。当输入逻辑值为零（即Vin=0），NMOS管栅源电压为0，PMOS管栅源电压为-VDD，N管截止P管导通。通过PMOS在电压VDD与输出端连接的负载电容建立导