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第九章 集成电路制造工艺集成 9.1 引 言 工艺集成 前面第二～八章分别介绍了氧化、扩散/离子注入、淀积、光刻、刻蚀、金属化以及化学机械抛光，这些都是单项工艺，这些单项工艺的组合称为工艺集成。 不同的工艺集成形成了不同的集成电路制造技术。 硅片制造厂的分区 硅片制造厂分成6个独立的生产区：扩散（包括 氧化、热掺杂等高温工艺）、光刻、刻蚀、薄膜（包括APCVD、 LPCVD、 PECVD、溅射 等）、离子注入和抛光（CMP）。 CMOS简要工艺流程 CMOS简要工艺流程（续） CMOS简要工艺流程（续） 9.2 先进的0.18μm CMOS集成电路工艺技术 1. 双阱工艺 2. 浅槽隔离工艺 3. 多晶硅栅结构工艺 4. 轻掺杂漏（LDD）工艺 5. 侧墙形成工艺 6. 源/漏（S/D）注入工艺 7. 接触形成工艺 8. 局部互连工艺 9. 通孔1和金属塞1的形成 10. 金属1互连的形成 11. 通孔2和金属塞2的形成 12. 金属2互连的形成 13. 制作金属3直到制作压点及合金 14. 参数测试 1. 双阱工艺 N阱的形成步骤 1. 外延生长：φ8英寸、P－外延/P＋衬底、外延层厚 度约5.0μm、片厚约2.0mm 2. 薄氧氧化：厚