变频器的组成及其设计-1.ppt

IGBT的保护 主要包括dv/dt保护、过流保护（包括短路保护）、热保护和非工作状态保护等。 （1）dv/dt保护 IGBT的C、E之间能承受的电压上升率dv/dt是有限的。为了保证dv/dt产生的位移电流不至于使IGBT误导通，有必要限制C、E之间的dv/dt。 保护措施：加缓冲电路 IGBT的保护 （2）过流和负载短路保护 当IGBT集电极或负载短路时，由其输出特性可知，其饱和压降会显著上升。通过检测IGBT的导通压降就可以判定它是否过流和短路。 如果过流，首先削弱驱动约8~10μs，再加反向驱动电压，关断IGBT，以免因产生过高的dv/dt和浪涌电压导致IGBT关断失败而造成损坏。 IGBT的保护 （3）非工作状态保护 由于IGBT的栅极是薄的绝缘栅，在运输、贮存、测量、装焊等方面都应采取相应的保护措施。在任何时候都要小心，防止栅极静电击穿。IGBT模块在出厂时一般都在控制极与发射极上装有导电泡沫塑料或粘有导电铜箔，要一直保留到往栅极上压线或进行无静电焊线时再拿下来。 二、智能功率模块（IPM）  特点：保护功能齐全，使用方便 1）开关速度快 2）低功耗 3）快速过流保护 4）过热保护 5）桥臂对管互锁保护 6）优化的栅极驱动电路和保护电路 7）驱动电源欠压保护。 三、集成门极换流晶闸管IGCT的性能和应用 90年代中期，ABB公司通过优化GTO门极驱动单元和器件外壳设计，采用集成门极等技术，大大降低了门极驱动回路中的电感，并采用负门极电流上升率的方法来缩短贮存时间，这就是所谓的GTO“硬驱动”技术，从而产生了新型功率器件?集成门极换流晶闸管Integrated Gate-Commutated Thyristor?IGCT），它将门极换流晶闸管通过印刷电路板与门极驱动装置连成一个整体 。 它不仅有与GTO相同的高阻断能力和低通态压降，而且有与IGBT相同的开关性能，即它综合了GTO和IGBT两者的优点。 应 用 目前，IGBT 和IGCT占领了大功率器件的应用领域。就功率装置的电流和电压而言，这两种器件具有很大的互补性。 在实际应用中：电压较低时选用IGBT，电压较高时选用IGCT。根据应用和设计的标准不同，在1800~3300V之间，两种器件交叉使用，IGBT较适于功率较小的装置，而IGCT则更适用于功率较大的装置。 4.3 变频器设计方法 4.3 变频器设计方法 一、变频调速系统设计的一般性方法 （1）控制系统总体方案设计，明确系统的总体要求。 （2）设计主电路拓扑结构，选定逆变器件类型； （3）确定控制策略和控制方式； （4）选择主控制芯片； （5）选择各物理量的传感器和检测电路； （6）系统硬件设计，软件设计 1. 选择主电路拓扑结构 （1）普通三相变频器 通常也称为二电平变频器，即第二章中所讲的交-直-交型变频器，这种拓扑结构比较简单，为了获得大功率可采用器件的串并联的方法来实现。 根据系统容量的大小以及实际要求选择合理的变频调速系统主电路拓扑结构。 1. 选择主电路拓扑结构 （2）交-交变频电路 主要用于500kW或1000kW以上的大功率、低转速的交流调速电路中。 （3）高-低-高电路 这是高压变频器的典型结构之一。 1. 选择主电路拓扑结构 （4）直接高压变频调速 在高压大功率的场合，采用三电平技术直接获得高压输出，或采用多重化技术将多个低压逆变桥并联/串联起来获得大电流/高电压，再加上一定的相移，可得到接近正弦的电压输出。 第四章 变频器的组成及其设计 山东大学 控制科学与工程学院 ? 引 言 变频器的设计是一个综合运用多学科知识、解决系统性能指标及可靠性问题的过程，涉及的知识面较广。其设计理论涉及电机学、计算机技术、测试技术、数字电路、电力电子技术、自动控制理论、检测技术、热力学、机械结构设计等多个学科。因此它的设计也是一个复杂的系统工程问题。 4 变频器的组成及其设计 本章提要 交-直-交PWM变频器的基本结构及作用 变频器常用电力电子开关器件 开关管缓冲电路设计 变频器设计方法 变频器散热系统设计 4.1 交-直-交PWM变频器的基本结构及作用 变频器的类型也很多，其内部结构也各有不同。本节将以电压型通用变频器为例，介绍一下变频器的基本结构以及各部分的功能和作用。 交-直-交PWM变频器都具有类似图4-1所示的基本结构。 通用变频器基本结构 一、变频器主电路的构成 变频器的主电路是功率变换的执行机构，相当于是