SDRAM初始化.docxVIP

SDRAM的地址线， 在我们一般用的什么SRAM啊，PSRAM啊，RAM啊，一般而言都是有多少根地址线，然后可以算出寻址空间，比如有11根地址线，那寻址空间就是2的 11次方。但是SDRAM是分列地址和行地址的，行、列地址线是复用的，所以有时候我们看到说寻址空间有多大多大，但是看看地址线怎么就那么几根啊，呵呵。SDRAM一般还有2根BANK的线，分成4个BANK，在有的处理器的SDRAM控制模块中，这两根线可能映射到地址线的某两根去。一般芯片常按照以下方式写芯片的配置，比如4Meg x 4 x 16，那这个芯片就是256Mbits。其中16指数据线是16根，中间一个4是只分4个BANK， 每个BANK是4Meg。 2，SDRAM的初始化 SDRAM上电后使用前必须要经过一段初始化操作才可以使用。这个操作过程是标准的过程。这个过程如下 A: precharge B: auto-“refresh” C: Load Mode Register D: Normal Read/Write 在上电后输入初始化命令值前，最少要100us延迟（这个其实很容易满足，呵呵）。 在输入precharge命令后，因为必须是对所有BANK进行Precharge，所以A10这个管脚要设置成高，因此在Precharge后面要做一个读的操作，这个操作最主要的是在SDRAM的寻址空间里设置的地址必须是A10是高的。 在输入Auto-“refresh”命令后，一般要跟几句空操作或者读什么之类的，反正要达到延迟的目的，以使得SDRAM有时间来完成“refresh”。 之后就是要设置SDRAM的模式寄存器，这个寄存器里一般设置了burst长度，CAS，burst类型，操作模式，还有是设置SDRAM是工作在单个读写操作还是burst操作下。而这个寄存器的设置也是通过地址线来设置的，所以在发出Load Mode Register命令后要做一个操作可是使得在SDRAM的地址线上出线的值就是你要设置的值。这里很有必要提醒的一下的是，这个操作是8位的操作，切记切记。 设置完模式寄存器后就进入正常操作模式。 实际上具体的操作要跟选用的处理器的SDRAM控制模块相结合来设置。对于这些初始化命令比较直观的理解就是拿逻辑分析仪来分析。 在这里需要提醒一下CAS这个参数很重要。还有SDRAM必须要刷新的，因此刷新频率可以按照手册算出来的，但是设置的高一点也是可以的。常常SDRAM 都有工作频率，但是也可以工作在低一点的频率上，比如PC133的，你工作到100也是可以的，设置基本不需要修改。  3，其他 我们有时候看到有的原理图上数据线有倒过来接的，其实这个无所谓的，反过接，写进去的就是反的，但是读出又反了一下，反反两次正好没反。 延伸一下到DDR，其实DDR就是SDRAM外面加了一个乌龟壳。因此初始化是一样的。当然DDR一是多了一个把时钟频率反相的时钟，因此有2个相位差 180度的时钟。这两个一般都是用同一个时钟源产生，一致性会比较好。还有多了2个DQS，这个也是一个时序要求，一般CPU的控制模块都有设置好了。如果你使用的CPU不含有控制模块，那用FPGA去做一个控制模块的话，那就要好好研究时序了。  在有些处理器的控制模块中，由于EMI的设置，地址线映射关系复杂，因此推算会比较麻烦，一般如果没有什么映射的话，还是很容易操作的。4，补充：SDRAM的自动刷新和自刷新刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。对于AR， SDRAM内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说CAS在 RAS之前有效。所以，AR又称CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank，因此在刷新过程中，所有L-Bank都停止工作，而每次刷新所占用的时间为9个时钟周期（PC133标准），之后就可进入正常的工作状态，也就是说在这9 个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。64ms之后则再次对同一行进行刷新，如此周而复始进行循环刷新。显然，刷新操作肯定会对SDRAM的性能造成影响，但这是没办法的事情，也是DRAM相对于SRAM（静态内存，无需刷新仍能保留数据）取得成本优势的同时所付出的代价。 SR则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名的应用就是STR（Suspend to RAM