可编程逻辑器件课件讲义.ppt

学习要点 随机存取存储器RAM和只读存储器ROM的结构、工作原理及存储器容量扩展的方法； 可编程阵列逻辑PAL 、通用阵列GAL的结构与特点； CPLD和FPGA的结构特点； 可编程逻辑器件的开发与应用技术。 8.1 半导体存储器 存储器是数字计算机和其他数字系统中存放信息的重要器件，它使数字系统有了记忆能力，对数字信息进行有条不紊的运算和处理。 随着大规模集成电路的发展，半导体存储器因其具有集成度高、功耗低、存取速度快、使用寿命长等特点，已广泛应用于各种数字系统中。 半导体存储器按功能和存储信息的原理分为： 只读存储器ROM（Read-only Memory） 只读存储器是一种只能读但不能写入的存储器。即使断电，ROM中存放的数据也不会丢失。故ROM通常用来存放永久性的、不变的数据。 随机存取存储器RAM（Read Access Memory） 随机存取存储器RAM是一种既可读又可写的存储器。这种存储器断电后，数据将全部丢失，用于存放一些临时性的数据或中间结果。 8.1.1只读存储器 根据编程和擦除方法的不同，ROM可分为： 掩膜ROM 可编程只读存储器PROM 可擦除可编程只读存储器EPROM 电可擦除只读存储器E2PROM 闪存Flash ……等不同类型。 8.1.1只读存储器 1．只读存储器ROM的基本结构 ROM由地址译码器和存储矩阵和读出电路三部分组成，结构如图所示。 2．只读存储器ROM的工作原理 以掩膜ROM为例，如图所示为二极管ROM的原理图，其存储容量为4×4。 3．ROM的分类 根据编程和擦除的方法不同，ROM可分为: 掩膜ROM 可编程只读存储器PROM（Programmable ROM） 可擦除可编程只读存储器EPROM（Erasable Programmable ROM） 电可擦除只读存储器EEPROM 快闪存储器（Flash Memory） 4. ROM的应用 例8.1.1 试用ROM实现下列逻辑函数： 5．集成电路ROM 常用的EPROM典型芯片有 2716（2K×8）、2732A（4K×8）、 2764（8K×8）、27128（16K×8）、 27256（32K×8）和27512（64K×8）等；E2PROM典型芯片有2864（8K×8）、 28C010（1兆）、28C020（2兆）等。 EPROM基本电路结构的差别不大，现以Intel 2716为例，介绍集成电路ROM的结构及其工作原理。 8.1.2 随机存取存储器RAM 随机存取存储器RAM可以在任意时刻，对任意选中的存储单元进行信息的写入和读出操作。与只读存储器相比，随机存取存储器最大的优点是存取方便，使用灵活，缺点是一旦断电，所存内容全部丢失。 1．RAM的基本结构和工作原理 随机存取存储器RAM由存储矩阵、地址译码器和读／写控制电路组成 。 信息的读出和写入是以字为单位的。 为了区别各个不同的字，给每个字都赋予一个唯一的编号，这个编号称为地址。地址的选择是通过地址译码器来实现的。 地址译码器分为行地址译码器和列地址译码器。由它们共同确定欲选择的地址单元。 图8. 7 RAM存储矩阵 如图所示是容量为 1024×4 （即1K×4，有1K个字，每个字4位）的RAM存储矩阵。 因 ，故1024个字需要10位二进制地址码。 1．RAM的基本结构和工作原理 数字系统中的RAM一般由多片组成，而系统每次读/写时，只对其中的一片（或几片）进行读/写，在每片RAM上均加有片选信号 ，只有 的RAM芯片才被选中，可以进行读/写操作， 的RAM芯片，其I/O端为高阻状态，不能进行任何操作。 读/写操作利用控制信号 来完成，是分时进行的，当读/写控制信号 时，执行读操作，将存储单元里的数据送到输入/输出端上；当 时，执行写操作，加到输入/输出端上的数据被写入存储单元中。 2．RAM存储单元的类型 根据所采用的存储单元工作原理的不同,随机存储器分为： 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM 总之，静态 RAM 速度快但价格贵，动态 RAM 要便宜一些，但速度慢。因此，静态 RAM 常用来组成 CPU 中的高速缓存，而动态 RAM 能组成容量更大的系统内存空间。 3. 集成静态存储器SRAM 常用的集成静态存储器SRAM典型芯片有： 2114（1K×4）、 6116（2K×8）、 6264（8K×8）等。以Intel 2114A为例，介绍一下SRAM的结构及其工作原理。 （