线性时域CMOS智能温度传感器使用曲率补偿振荡器外文翻译.docVIP

线性时域CMOS智能温度传感器使用曲率补偿振荡器 摘要：本文介绍了一种面积高效时域的CMOS智能温度传感器使用具有40℃?120 ℃温度范围可操作性的线性增强的曲率补偿振荡器。该逆变器的智能温度传感器可以大幅降低集成温度传感器的成本和电路的复杂性。然而，一个大的曲率在温度时间转换曲线基于逆变器的延迟线，并导致传感器输出的线性度较差。成本减少和错误改进，一个振荡器和放大器温度脉冲发生器环用来产生一个热感测脉冲与足够的宽度正比于绝对温度（ PTAT ） 。然后，简单但有效的片曲率补偿振荡器同时计数并曲率线性化PTAT脉冲。用这种简单的结构，该传感器在一个非常小的区域0.07平方毫米具有0.35微米CMOS 2P4M数字化进程。通过使用一个振荡器为基础方案的设计，传感器实现了0.045 ℃高分辨率没有显著增加电路面积。随着曲率补偿， -1.2 ?0.2 °C的误差-40 ℃?120℃后两点校准为14封装的芯片。功耗在10个样品/ s的采样率测量23 μW。关键词：曲率补偿智能温度传感器振荡器时域延迟线 介绍 温度传感器通常用于温度传感广泛适用于测量，仪器仪表和控制系统。随着业的增长，使用电阻来实现温度检测器（RTD ） ，热敏电阻或热电偶不能最先进的自动化控制系统的要求。与此相反，半导体温度传感器提供了许多优点，反映了主流市场的变化趋势。们不仅提供更高级别的输出信号更好的抗噪声性能，而且还产生可以数字系统直接通信逻辑，从而热能或电力管理系统发挥了重要作用。小尺寸和高性能，集成的需求相比温度传感器采用CMOS技术制造更具有竞争力和吸引力 为了进一步数字VLSI系统融合，并减少微控制器的任务，模拟 - 数字转换器（ADC）逐渐融入热传感器组成的所谓的“智能或智能温度传感器” [1-4] 。温度传感器温度电压信号，然后将相应的ADC用于随后的数字输出编码。通常大的芯片面积和功耗情况下有。此外，为与标准数字CMOS工艺完全兼容，减少测量误差，的电路片上校准技术，普遍电路的复杂性消耗更多的芯片面积和功耗。 图1时域智能温度传感器的原理框图[ 5 ]  在最近几年，一种创新的时域智能温度传感器，提出了减少智能传感器的VLSI系统的成本和电路的复杂性，如图1 [5]逆变器为基础的温度脉冲发生器作为温度传感器是用来测试温度转换宽度PTAT脉冲。然后所产生的脉冲转换器（TDC ），而不是ADC 产生数字。在0.35微米CMOS数字工艺，芯片尺寸仅0.09平方毫米，并且测量误差为±0.6 ，-40到60 °C温度范围内两点校准耗电量9 μW @ 5个样本/秒。对于的或系统级芯片（SOC）整合，一个全数字化的智能可编程门阵列（FPGA ）逻辑[ 6 ]温度传感器 。该FPGA芯片进行测定，0-75 ℃温度范围内两点校准振荡器参考电流和PTAT电流匮乏在0.18 - μmCMOS工艺温度传感器具有的区域0.05平方毫米0-100 °C范围二点校准-1.6-3.0 ℃。它只消耗了220@ 100样本/秒[ 7 ] 。基于线性MOS的操作，另一种405@ 1 ksamples/s超低的CMOS智能传感器具有差分温度感应延时发电机[8]。0.18μm CMOS工艺中芯片尺寸为 0.03平方毫米，0-100 °C范围二点校准-0.8-1.0 °C。此外，为了降低高容量生产成本，提出了进行全数字变换器基于温度传感器自校准用的基准时钟，以除去点校准工艺偏差的影响 [ 9 ] 。0-60 ℃的范围进行3测试的误差-5.1-3.4 ℃。在65CMOS工艺下核心区0.01平方毫米 ，并且功率消耗是150 μW @ 10 k samples/s。后来，提出另一种支持单点校准和缩小电路尺寸 基于FPGA [ 10 ]。通过用片外二级主曲线曲率校正，0?100℃范围内20块芯片测试成功误差降低至-0.7-0.6 。48个逻辑单元，消耗175 μW @ 1 k samples/s 。单点校准，涉及到使用频率 - 数字转换的智能传感器多相时钟，提出了-40 ~C110℃范围实现-2.7-2.9 ° C [11] 。65-nm CMOS技术该电路功能的转化率最快366kHz和小尺寸0.0066平方毫米 图2。智能温度传感器阻断前曲率补偿图 [ 12 ] 。 与电压传感器相比[1-4]时域变换器为基础的传感器具有成本低，结构简单，但线性较差的缺点因为大的曲率在温度时间转换曲线基于逆变器的延迟线。提高线性度，芯片上两个线性延时线之间的曲率补偿的技术是实现了相关的时域传感器[ 12 ]中最高的准确度。该体系结构逐次逼近算法（ SAR）的智能温度传感器重绘于图2 温度敏感，延迟线（ TDDL ）随温度 ，类似于在[5]中是用来产