[硒化铅.docVIP

PbSe 硒化铅? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?分子式：PbSe lead selenide 性质：灰色或灰黑色结晶粉末。立方晶系结构，密度8.10g/cm3。熔点1065。溶于硝酸和热浓盐酸中，不溶于水。真空中由铅和硒直接反应，或用氢还原亚硒酸铅制取。用于制造光敏电阻和红外检测器等。 PbSe是一种具有立方结构窄禁带的半导体材料，晶格常数0.6122nm，常压下其密度8.15g/cm，熔点1065。PbSe具有很多独特的物理性能，如介电常数高，载流子迁移率高[1]（室温下空穴迁移率约为300cm/（vs）），直接带隙窄（E0：:028 -0.41eV）,并具有电子导电性能，即具有金属特性。这类半导体都是从研究红外探测器发展起来的。由于这类材料禁带窄, 具有良好的光电导效应, 噪声低,对外界条件的影响反应比较灵敏,适用于制造敏感器件。 近几年，科学家已经在纳米晶PbSe、PbS、PbTe等材料中观察到了“多载流子效应”，俗称“雪崩效应”。利用PbSe等纳米半导体材料制作的太阳能电池最高理论转换效率可望达到44%。因此，PbSe纳米晶材料在太阳电池材料、光敏传感器材料、光催化材料等方面具有广阔的基础研究及应用前景。 参考资料 1．????斯剑霄,吴惠桢,徐天宁,曹春芳?．PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理?：半导体学报?，2007?． 2.2. Product characterizations 2.2。产品特征 这个阶段的纯洁性作为合成的产品进行了XRD使用Bruker x射线衍射仪(D / max-3A CuK模型,,= 1.5418一个,德国)。这个扫描速率为0.06年代?1应用和模式是记录在2范围10 - 80。表面形态的研究和准备产品扫描电子显微分析仪(SEM,地产- 5910、日本)。EDX进行 一个日立s - 4700配备能量色散x射线谱仪。透射电子显微镜的研究了由在透射电子显微镜(TEM,jem - 100CXII、日本)装置与加速电压200伏特。x射线光电子光谱(XPS)收集在一个ESCALAB 250 x射线光电子能谱仪,使用nonmonochromatized AlKX-rays作为激励源。房间tem高温光致发光(PL)光谱进行rf - 5301 pc与Xe灯 3。结果与讨论 3.1。粉末x射线衍射(XRD)有的产品都获得在一个玛瑙研钵研磨在他们的特点是x射线粉末衍射。得到的周长XRD模式示例图1显示的是,这是在150年合成?吗C 24 h在水溶液中。这个XRD模式显示所有布拉格的反射为(111),(200),(220),(311)、(222)、(400)、(331)、(420)和(422)(hkl)飞机。所有的diffractionpeaks可以容易indexedas structurePbSe的立方,这是协议与文学基准面(PDF no.65 - 2941)。强大的和尖锐的reflectionpeaks表明产品高度结晶。 3.2。扫描和透射电子显微镜(SEM、TEM) 图2是典型的扫描电镜图像的硒化铅微晶反应条件下不同dif。图2展示了SEM图像的 准备在蒸馏水合成硒化铅树突在120C24 h。如图所示在全景图像inFig。2、synthe-sizedPbSewith thismethodhasparticleswhichareuniforminsize。它有一个定义明确的树枝状结构与中央的躯干和在threedirections multiplebranches扩展对称。这个 树突的分支结构测量是approxi硒化铅- mately0.5 - 1.2 - mlong。Transmissionelectronicmicroscopy(TEM)硒化铅的图像被显示inFig微晶。2 b。结果 同意对扫描电镜图像。图2 c是SEM图像的合成样品在120C4 h。形成的产品被发现是可怜的硒化铅晶体树枝状结构,有大量的不规则三次曲线共存。当反应时间增加到24 h,定义良好的结晶硒化铅与树突结构如图所示inFig形成。2一个。这个dentric-shaped分支在150年明显减少C,因为inFig所示。2 d。硒化铅的树突结构进行了分析由EDX。根据EDX光谱、化学成分的样本是铅和硒。量化的山峰秀EDX的摩尔比,对Se是1:0.94 Pb,接近stoichiom-etry硒化铅的。因为电离能的铅和硒是非常近,在EDX光谱的位置和Se是铅都是重合的。EDX分析显示的一致性的质量产品。 3.3。x射线光电子能谱(XPS) 进一步的证据得到质量和成分通过XPS的产品,和XPS谱的树突微结构struc-tured硒化铅标识。图3显示了XPS光谱是准备在150年的硒化