第6章存储器20150510例析.ppt

掩膜式ROM（ROM） ROM结构简单，价格便宜。存储器不需要加电来保持数据，因为在芯片里数据是以“硬连线”方式形成的。数据只能在制造期间由生产厂家用光刻工艺把程序代码 “烧”到芯片里。 三种类型的ROM结构图 一个ROM单元的照片（左边是放大1000倍，边是放大11200倍的） 现场编程ROM （PROM） PROM在出厂时未存储任何信息，使用时用户可根据需要自行写入信息，但信息只能写入一次，一旦写入变不可更改。 产品类型为双极型，速度快，功耗大。基本存储电路有熔丝型和PN击穿型两种。读数时间范围40~90ns，有些ECL产品读数时间可降低到20ns。 熔丝型PROM基本存储电路 PN结击穿型PROM基本存储电路 可改写的PROM（EPROM） 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息。 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程，编程后，应该贴上不透光封条。出厂时，每个基本存储单元都是信息1，编程就是将某些单元写入信息0。 擦除信息的方法：在紫外线下照射5~15分钟。 可改写的PROM（EEPROM） EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。有四种工作方式：读方式、写方式、字节擦除方式和整体擦除方式，包括并行EEPROM 和串行EEPROM 两种。EEPROM不能取代RAM的原因是工艺复杂， 耗费门电路过多，且重编程时间比较长，同时其有效重编程次数比较低。 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM。 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线DO7～DO0 片选/编程CE*/PGM 读写OE* 编程电压VPP (3)典型PROM芯片 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 EPROM2764 EPROM2716 EPROM芯片2764 单片容量8K×8，读出时间200至500ns，与27128、27256兼容。 8种工作方式： 待用方式：未用，CE为1;读出方式： CE和OE同时有效 读出禁止： OE无效 编程写入：VPP接21至25伏电源，OE无效，带地址和数据有效，由PGM送入宽50±5ms的TTL负脉冲。 编程校验：编程状态下读出， VPP接21至25伏电源， CE和OE同时有效 读Intel标识： VCC VPP 均为+5伏，PGM+12伏， CE和OE同时有效，读出两个字节，低字节为制造厂商编码，高字节为器件编码 Intel编程：对每一个要写入的存储单元，在地址、数据就绪的前提下，向PGM重复送1ms的编程负脉冲，每送一个脉冲即进行一次检验。若读出写入相同，说明数据已经写入，可进一步加以巩固。 EPROM芯片2864A 28系列的E2PROM芯片带有查询端RDY/BUSY 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线I/O7～I/O0 片选CE* 读写OE*、WE* EPROM芯片2864A +5V供电，维持电流60mA，最大工作电流160mA，读出时间250ns。 页写入与查询的做法： 当启动写入后，应以（3至20）微秒/B的速度，连续向有关地址写入16个字节的数据，其中，页内字节由A3至A0确定，页地址由A12至A4确定，整个芯片有512个页。 如果芯片在规定的20微秒的窗口时间内，用户不再进行写入，则芯片将会自动把页缓冲器内的数据转存到指定的存储单元，这个过程称为页存储，在页存储期间芯片将不再接收外部数据。CPU可以通过读出最后一个字节来查询写入是否完成，若读出数据的最高位与写入前相反，说明写入还没完成，否则，写入已经完成。 4.高速缓冲存储器Cache 简称缓存，是位于CPU与主存间的一种容量较小但速度很高的存储器。缓存采用SRAM。 在CPU内部通常设有一级或二级缓存Cache，在主板上设有片外Cache。 缓存主要是为了解决CPU运算速度与内存读写速度不匹配的矛盾。 在CPU中加入缓存是一种高效的解决方案，这样整个内存储器（缓存+内存）就变成了既有缓存的高速度，又有内存的大容量的存储系统了。 微型计算机原理与应用 第6章 存储器 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储。 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 CPU 寄存器 CACHE 主存（内存） 辅存（外存） 1.存储器概述 (1)半导体存储器的分类 按制造工艺分： 双极型：速度快、集成度低、功耗大、价格高。一般用作Cache。 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低，价格便宜。包括静态RAM、动态RAM、EPROM、EEPRO