4.3均质形核解析.pptVIP

一、 液-固相变驱动力 从热力学推导系统由液体向固体转变的相变驱动力ΔG 由于液相自由能G 随温度上升而下降的斜率大于固相G的斜率 第二节 均质形核 均质形核 ：形核前液相金属或合金中无外来固相质点而从液相自身发生形核的过程，所以也称“自发形核” （实际生产中均质形核是不太可能的，即使是在区域精炼的条件下，每1cm3的液相中也有约106个边长为103个原子的立方体的微小杂质颗粒）。 非均质形核：依靠外来质点或型壁界面提供的衬底进行生核过程，亦称“异质形核”或“非自发形核”。 一、形核功及临界半径 二、形核率 一、形核功及临界半径 晶核形成时，系统自由能变化由两部分组成，即作为相变驱动力的液-固体积自由能之差（负）和阻碍相变的液-固界面能（正）： r＜ r*时，r↑→ΔG↑ r = r*处时，ΔG达到最大值ΔG* r ＞r*时，r↑→ΔG↓ 令： -4πr均2ΔGV+8πr均σ=0 得临界晶核半径 r*： r* 与ΔT 成反比，即过冷度ΔT 越大，r* 越小； ΔG*与ΔT2成反比，过冷度ΔT 越大，ΔG* 越小。 另一方面，液体中存在“结构起伏”的原子集团，其统计平均尺寸 r°随温度降低（ΔT增大）而增大，r°与 r* 相交，交点的过冷度即为均质形核的临界过冷度ΔT*（约为0.18~0.20Tm）。 临界晶核的表面积为： 即：临界形核功ΔG*的大小为临界晶核表面能的三分之一， 它是均质形核所必须克服的能量障碍。形核功由熔体中的“能量起伏”提供。因此，过冷熔体中形成的晶核是“结构起伏”及“能量起伏”的共同产物。 二、形核率 式中，ΔGA为扩散激活能 。 ΔT→0时，ΔG*→∞，I → 0 ; ΔT 增大，ΔG* 下降，I 上升。 对于一般金属，温度降到某一程度，达到临界过冷度（ΔT*），形核率迅速上升。 计算及实验均表明: ΔT*～0.2Tm 第三节 非均质形核 合金液体中存在的大量高熔点微小杂质，可作为非均质形核的基底。晶核依附于夹杂物的界面上形成。这不需要形成类似于球体的晶核，只需在界面上形成一定体积的球缺便可成核。非均质形核过冷度ΔT比均质形核临界过冷度ΔT*小得多时就大量成核。 一、非均质形核形核功 二、非均质形核形核条件 一、 非均质形核形核功 非均质形核临界晶核半径： 与均质形核完全相同。 非均质形核功 二、非均质形核形核条件 结晶相的晶格与杂质基底晶格的错配度的影响 晶格结构越相似，它们之间的界面能越小 ，δ越小。 杂质表面的粗糙度对非均质形核的影响 凹面杂质形核效率最高，平面次之，凸面最差 。 非均质形核、均质形核过冷度与形核率 非均质形核与均质形核时临界曲率半径大小相同，但球缺的体积比均质形核时体积小得多。所以，液体中晶坯附在适当的基底界面上形核，体积比均质临界核体积小得多时，便可达到临界曲率半径，因此在较小的过冷度下就可以得到较高的形核率。 小结 作业 什么是均质形核？ 什么是均质形核？ 第四节 晶体长大 一、 液-固界面自由能及界面结构 二、 晶体长大方式 三、 晶体长大速度 第四节 纯金属晶体的长大 当金属液达到一定过冷度，超过临界尺寸的晶核成为稳定晶核后，由液相到晶体表面上的原子数目将超过离开晶体表面而进入液相的原子数。于是将进入晶体生长阶段。 晶体的长大：宏观长大方式 平面方式长大 树枝晶方式长大 微观长大方式 连续长大 二维长大 一 晶体宏观长大方式 晶体宏观长大方式=长大形态 =长大过程中液-固界面的形态 两种：平面状长大，树枝状长大 取决于：液-固界面结构的类型，界面前沿液相中温度分布 （一）平面方式长大 正温度梯度：液相中，距液-固界面越远，温度越高。 因结晶潜热只能由固相单向散出，晶体生长的平面状生长 二 晶体微观长大方式 晶体长大：液体中原子迁移到晶体表面，即液-固界面向液体中推移的过程。 方式：连续长大 二维长大 决定于界面结构---界面热力学—最低的吉布斯自由能