[Array简介.ppt

Thin Film Aligner Array工艺 Array流程 Sputter工艺及设备 Pecvd工艺及设备 Photo ETCH Strip * Glass Film Photo Resist Light Mask 此单元为曝光单元，当Glass 经过Coater后基板上会形成一 层光刻胶，当基板经过Aligner 单元时，光照会透过Mask照到 基板上，在基板上形成与Mask 模型相同的图形。 返回 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Glass Thin Film Photo Etch Cell Bare Glass由cst中转传入到镀膜系统，经SputterPecvd后再传入到光刻系统，经Cleaner——Coater——4Mask——Developer等工序后再传入到刻蚀系统，经Wet etchDry etch后传入Strip系统最终得到我们想要的TFT pattern。 Thin Film Sputter Gate ITO S/D Pecvd Active PVX Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. T0 Chamber S3 S4 L1 L2 Port1 Port2 Port3 Port4 Sputter镀膜模拟动画 Sputter：“溅射、镀膜”的意思，所谓“溅射镀膜”是在稳定真空状态下，阴阳极间产生辉光放电，极间气体分子（Ar）被离子化而产生带电电荷，其中正离子受阴极负电位加速运动而撞击阴极靶材，将其原子等粒子溅出，此溅出的原子则沉积于阳极基板上而形成薄膜，此物理现象即称溅射镀膜。如下图所示： Ar+ Mo AL Glass Target Sputter所镀膜层对比： 名称 靶材 膜厚 Mask Gate Al 18000kwh 8000kwh Mo 18000kwh 16000kwh S/D Mo 18000kwh 18000kwh ITO ITO 8500kwh 2400kwh Glass e- Ar L/UL 是连接着ATM与反应室CH的Glass装卸单元，充入氮气时室内恢复大气压且给Dep后的Glass降温，Dump抽真空给刚进入室内的Glass预热。 T0 CH内为真空状态，是连接L与S的纽带。 S是镀膜的最后步骤，利用磁控溅射技术将靶材上的金属粒子溅射到Glass基板上。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Pecvd：化学气相沉积技术，通入不同反应气体反应生成镀膜所需的固体沉积在Glass上的过程。 Layer 膜层 反应气体 描述 Multi G-SiNx SiH4+NH3+N2 保护Gate信号，绝缘作用 a-Si SiH4+H2 开关作用 n+ a-si SiH4+PH3+H2 S/D与A-Si之间欧姆接触减小之间电阻 PVX p-SiNx SiH4+NH3+N2 钝化，防腐蚀 PECVD设备分为：CVD和PVX P4 T0 CH P1 L/UL P5 P2 P3 HEAT Port1 Port2 Port3 PVX ATM Robot D/C CH5 CH1 CH2 HEAT UL LL T0 CH CH3 CH4 CVD Glass Glass PVX对via层进行镀膜 CVD对ACT层进行镀膜 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P1 P2 P3 P4 L UL CV EUV Clean AK CV DB Pre-C Spin Lpd Ebr SB CV Tilter/EE Aligner Develop Rinse AK HB D/W AOI E