Chap.1-硅的制备及其晶体结构解析.pptVIP

Chap.1 硅的制备及其晶体结构 物质存在形式 无定形体和晶体 多晶体 晶体的特点 §1.1 硅材料的特点 硅器件室温下有较佳的特性 热稳定性好，更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 高品质的氧化硅可由热生长的方式较容易地制得 硅元素含量丰富（25％），成本低 高频、高速场合特性较差 硅片与封装好的模块 1.2.1 多晶硅的制备 直拉法 （Czochralski法) 区域熔融法 （Floating Zone法） 直拉法（CZ） 区域熔融法（FZ） 直拉法和区熔法的比较 1.2.3 IC制造的基本工艺流程 1.2.4 硅片(晶园、wafer)的制备 定位边研磨 硅片的定位边 硅片抛光和倒角 硅片的CMP抛光 §1.3 硅晶体结构特点 金刚石结构（Si、Ge、GaAs） 原子密度及晶体内部空隙 原子密度 晶格常数a (Si=5.43?) 原子密度＝晶胞中包含原子个数/晶胞体积 晶体内部空隙 空间利用率＝晶胞包含原子个数*原子体积/晶胞总体积 金刚石结构 §1.4 晶体中的晶面 金刚石结构中的晶面 常见晶面的面密度 §1.5 硅晶体中的缺陷 之前我们讨论的都是完美的晶体，i.e.具有完美的周期性排列。 但是由于晶格粒子本身的热振动、晶体生长过程中外界的影响、外界杂质的掺入、外部电、机械、磁场等应力的影响等等因素，使得晶格粒子