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收尾完毕，在收尾工序界面按【工艺选择】按钮进入工序选择界面；选择【停炉】按钮确定后系统跳转至停炉工序界面并运行停炉工序；程序将退出“热场温度”控制闭环并下降加热器给定功率至零，控制系统报警并提示关闭加热器。按“加热器关”按钮关闭加热电源；根据工艺要求，程序按设定参数自动下降埚位25~50㎜，关埚转、晶转并以给定的冷却时拉速缓慢提升晶体；停功率冷却3~4小时后程序自动退出“压力控制”闭环，关氩气阀将炉内压力抽至极限真空进行热检漏；检漏合格,按“主真空泵关”按钮停机械泵，继续冷却2小时后打开炉子取出晶体。注意：过程中不允许切断冷却水，否则炉内余热可能损坏炉体部件。 三、 停炉、冷却 * 晶体生长过程中如需要取出一段已生长的单晶，剩余硅液继续进行生长，则必须进行中途取晶操作： 单晶冷却:在取出单晶前，晶体应逐步冷却，以防止晶体裂开。将等径控制、热场控制、坩埚跟踪控制环全部退到OFF，放慢埚转到2rpm，并将加热功率适当升高；快速下降坩埚20-30mm，使晶体脱离液面；将晶升速度调整到180mm/hr，慢速提升晶体使之逐步冷却，保持30分钟后，将晶升速度加到360mm/hr，保持30分钟之后，将晶升速度加到500mm/hr，保持60分钟。最后将晶体提升到副室内。 隔离：确认晶体全部进入副室，按【工艺选择】按钮进入工序选择界面；选择 四、中途取晶操作 1、中途取晶 * 【隔离】按钮确定后系统跳转至隔离工序界面并运行隔离工序；按屏幕提示关闭翻板阀至“隔离阀关”行程开关动作；快充氩气充开副室，最后取出晶体。注意：翻板阀关闭后“隔离阀关”行程开关不动作，程序将无法自动切换各氩气阀开关，隔离工序也将无法正常运行。 副室净化：取出晶体后，检查好籽晶、钢丝绳。将籽晶、炉盖上的密封圈、插板阀等擦拭干净，合好副室；将籽晶提升进副室；打开“副真空泵开”按钮，在隔离工序主界面按【工艺选择】按钮进入工序选择界面； 四、中途取晶操作 2、隔离 * 选择【副室净化】按钮确定后系统跳转至副室净化工序界面并运行净化工序； 控制系统自动进行副室清洗，信息栏提示净化完成可以打开隔离阀提示信息并蜂鸣器报警时，打开翻板阀至“隔离阀开”行程开关动作；关闭辅助真空泵。 注意：自动隔离后程序自动更改投料量为剩料重量。正常情况，二节引晶埚位为一节隔离时埚位，即隔离取晶后要求埚位不变。 回熔 ： 1）引晶拉断、放肩时断棱或者等径时断苞，切换至手动状态，关闭等径控制、热场控制、坩埚跟踪控制环，准备回熔； 2）升高加热器功率，降低埚转至1-2转，缓慢停晶转，下降坩埚。坩埚位置以液面进入高温区为宜； 3）逐渐将晶棒降到液面以下回熔，一次不可降太多，等液体里的固体棒溶完后方可再下降一些。如果降得过快，会使固体棒子顶到石英坩埚底部，造成事故。 四、中途取晶操作 3、副室净化、回熔 * * 1）发生停水或水压报警时，先确认水压表是否偏低，水管和炉筒温度是否明显升高。 快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。 关闭加热功率。 在控制柜面板上将单晶生长各个模块关闭，使其处于手动状态。 降低埚位到熔料埚位，关闭埚转。 2）停水后水压恢复。 冷却水恢复供应时，监控水压，有异常立即报告管理人员。 水压恢复时，炉内无严重氧化现象，熔体未结晶或已结晶但液面结晶小于10分钟且石英坩埚未破裂，按加热功率开，调节功率到熔料功率。 启动埚转，设定为1转/分。 熔化结晶面，在此期间应密切关注炉内有无严重氧化现象，注意硅料液面熔化情况，一旦发生严重氧化现象、硅液面下降，立即停炉并上报管理人员。 待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后，开始引晶。 3）停水后水压无法恢复，或恢复时熔体已结晶大于10分钟。 在熔体结晶30分钟时，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。 停炉，充分冷却后拆炉 五、常见异常 1、停水 * 1）若单晶炉工作时，加热部分停电。 在控制柜面板上将单晶生长各个模块关闭，使其处于手动状态。 降低埚位到熔料埚位。 关闭埚转。 加热部分恢复时，若时间较短（液面未结晶或液面已结晶但小于10分钟且石英坩埚未破），按加热功率开，将功率升至熔料功率。 启动埚转，设定为1转/分。 熔化结晶面，在此期间应密切注意硅料液面熔化情况，一旦发生硅液面下降，立即停炉并上报管理人员。 待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后，开始引晶。 加热部分恢复时，若停电时间较长（液面结晶已经大于10分钟或石英坩埚破裂），快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。 在熔体结晶30分钟时，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒，但不要离水冷套过近，避免损坏导流筒。 停炉，充分冷却后拆炉。 五、常见异常 2、停电 * 2）若炉