模拟电路第3章n分析.ppt

3.5.2 变容二极管 （a）符号 （b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） 3.5.3 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 3.5.4 光电子器件 1. 光电二极管 （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 3.5.4 光电子器件 2. 发光二极管 符号 光电传输系统 3.5.4 光电子器件 3. 激光二极管 （a）物理结构 （b）符号 {end} 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 3. PN结V-I特性的表达式 【可参见教材P64图3.2.4】 i/mA UBR u/V i=-IS ＋ － ＋ － 式中： iD: 通过PN结的电流； vD: PN结两端的外加 电压； VT: 温度的电压当量，在常温(300K)下，VT≈26mV（※）； IS: 反向饱和电流 IF IR (μA) 当加正向电压时： u为正值，表达式等效成 ： 当加反向电压时： u为负值，表达式等效成 ： 常数 指数关系 i/mA UBR u/V i=-IS ＋ － ＋ － IF IR (μA) 3. PN结V-I特性的表达式 i/mA UBR u/V i=-IS ＋ － ＋ － IF IR (μA) PN结的反向击穿： 反向击穿电压 反向击穿 电击穿 热击穿 雪崩击穿 齐纳击穿 可逆 不可逆 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD 扩散电容示意图 3.2.5 PN结的电容效应 (2) 势垒电容CB end 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 3.3.2 二极管的V-I特性 Uth UBR uD/V iD/mA iD/μA 硅管约为0.5V 锗管约为0.1V 它的大小与二极管的材料及温度等因素有关。 几点说明： ①关于死区电压 开启电压（或称死区电压） （或称门槛电压） Uon 3.3.2 二极管的V-I特性 Uth UBR uD/V iD/mA iD/μA 硅管约为0.7V 锗管约为0.2V 它的大小与二极管的材料有关。 几点说明： ①关于死区电压 二极管的正向导通管压降 Uon ②正向导通压降 3.3.2 二极管的V-I特性 Uth UBR uD/V iD/mA iD/μA 几点说明： ①关于死区电压 Uon2 ②正向导通压降 ③与温度的关系 在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。 Uon1 ID IS1 IS2 3.3.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 极间电容CJ（CB、 CD ） end IF：最大整流电流 3.3.3 二极管的主要参数 指二极管长期运行时，允许通过的最大正向导通电流平均值。 指管子未击穿时的反向电流。其值愈小，则管子的单向导电性愈好。 温度对它影响很大，使用时应注意。 IR：反向电流 3.3.3 二极管的主要参数 极间电容Cd （1）势垒电容CB （2）扩散电容CD 低频或中频信号时二极管极间电容作用不予考虑；高频信号时才考虑作用。 URM：最高反向工作电压 指管子反向击穿时的电压值。 一般手册上给出的最大反向工作电压约为UBR的一半。 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为