RC吸收---2..docx

吸收是一个重要的话题，坛内很多贴在这个问题上纠结，或者很多纠结的问题可以归结为吸收，有必要专门开个贴系统讨论之。?先讨论吸收的本质，什么是吸收？基本拓扑电路上一般没有吸收，实际电路上一般有吸收，吸收是工程需要，不是拓扑需要。吸收总是和电感有关，这个电感不是指拓扑中的感性元件（拓扑中的感性元件的能量转移由拓扑解决），而是指诸如变压器漏感、布线杂散电感、或者故意增加的感性元件（这些感性元件的能量转移由吸收解决）。换言之，没有电感或者电感很小可不吸收，否则必须吸收。吸收是针对电压尖峰而言，电压尖峰从何而来？电压尖峰的本质是什么？电压尖峰的本质是一个对结电容的dv/dt充放电过程，而dv/dt是由电感电流的瞬变（di/dt）引起的，所以，降低di/dt或者dv/dt的任何措施都可以降低电压尖峰，这就是吸收。??吸收可以引起哪些效应？1、降低尖峰电压2、缓冲尖峰电流3、降低di/dt和dv/dt，即改善EMI品质4、减低开关损耗，即实现某种程度的软开关。5、提高效率，这个放最后了，意思是效率提高是有限的，弄不好还可能降低效率。也就是说，降低尖峰电压只是吸收的功效之一，其他功效也是很有价值的，这就是为什么有时候尖峰电压并没有超标，仍然需要吸收的原因。??先讨论一下吸收的误区，弄明白这个才谈得上怎么吸收，在哪吸收，如何吸收？吸收的第一个误区：在哪吸收最典型的误区是：1、Buck续流二极管反压尖峰超标，这个是常见的，但是在这个二极管就地吸收的方法却是错误的。为什么？因为这个反压尖峰并不是二极管引起的，尽管表现是在这里。这时只要加强MOS管的吸收或者采取其他适当的措施，这个尖峰就会消失或者削弱。2、副边二极管反压尖峰超标，这个也是最常见的，原因也清楚，都是漏感惹的祸，正确的方法是处理漏感能量，错误的方法是在这个二极管上拼命吸收。3、反激MOS反压超标，如果是漏感尖峰，或许吸收能够解决问题。如果是反射电压引起的呢？吸收是不能能够解决问题的，即使你拼命加强吸收使反压降了下来，效率就会低得一塌糊涂，因为你改变了拓扑。吸收的第二个误区：二极管吸收也许有人会觉得纳闷，二极管吸收已经被工程上广泛接受，为什么还说对二极管进行吸收是个误区呢？有以下原因：1、拓扑中的二极管承担着重要的能量转移任务，仔细观察我们可以发现这样二个事实：1）所有拓扑中的二极管都是电平衔接得天衣无缝的，没有必要吸收。2）拓扑中的二极管总是可以理解成一种系统DC吸收，只是吸收转移的能量全部给了输出（或者输入），换句话说，它自己就是个吸收二极管。2、从最后效果上讲，对一个理想二极管进行RC吸收的效果，等效于一个有反向恢复的二极管。其中，V/R=反向恢复电流，RC=反向恢复时间。什么意思呢？对一个快恢复实施RC吸收，其效果等效于一个反向恢复时间更长、反向恢复电流更大的二极管。换句话说，一个慢恢复二极管等效于一个附加RC吸收的快恢复二极管。3、如果胆敢对一个二极管实施RCD吸收，情况就更加惨不忍睹，其效果甚至连工频整流二极管都不如。4、如果对一个二极管实施如同无损吸收那样的LCD吸收，。。。我觉得拓扑都已经变了。?正好碰到一个5KW的buck案子，来看看二极管上的反压尖峰是怎么来的。??电路如图，频率80K，占空0。7，输入375V，输出250V，电流连续。在所有可能的地方都放一个20nH的等效杂散电感，得到如下反压波形：??其中：二极管反向恢复电流峰值12A，反向恢复时间差不多30ns???逐个取消某个电感，得到如下数据：??结果往往是出人意料的，只要输入回路或者D回路的等效电感中的任意一个消失（不需要同时消失），则二极管反压尖峰完全消失，而对其他地方的等效电感的大小和存在与否完全没有关系。注：采用不同型号的快恢复二极管，上述数据可能会有差异，但是总的趋势是一样的。?通过仿真验证，对于Buck，我们可以得到以下重要认识：1、输入回路和二极管回路的分布电感，是引起反压尖峰的罪魁祸首。与输出滤波回路无关。 推论：输出滤波电容是不是接地中心无关紧要。2、输入回路或者二极管回路的分布电感中的任意一个消失，则二极管反压尖峰消失。 推论1）：二极管反压尖峰跟这两个回路的分布电感关系大，跟二极管反向恢复参数关系不大。即：二极管反向冲击电流不会引起反压尖峰。 推论2）：只要采取减少二极管回路的分布电感这个单一措施，就能够有效地减少二极管反压尖峰，使得处理二极管反压尖峰成为一件很容易的事情。 推论3）：上述措施下，即使增加输入回路的分布电感也不会增加二极管反压尖峰，这就允许我们在输入回路故意增加以达到缓冲或者软开关目的的感性元件。3、输入回路和二极管回路的分布电感都要影响开关管反压，只有这两个分布电感同时消失，开关反压尖峰才会消失。 推论1）：上述推论2的措施，同时是减少开关反压的重要措施，一举两得。 推论2