第4章嵌入式硬件及接口开发-part3分析.ppt

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第4章嵌入式硬件及接口开发-part3分析

对擦除过的Flash进行编程比较简单,但仍然用到以上提到的查询算法,速度比较慢,一般为20uS,最长的达到500uS 对擦除过的Flash进行编程比较简单,但仍然用到以上提到的查询算法,速度比较慢,一般为20uS,最长的达到500uS 对擦除过的Flash进行编程比较简单,但仍然用到以上提到的查询算法,速度比较慢,一般为20uS,最长的达到500uS NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。 所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。   一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。   当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。 其中,512B(或1024B)用于存放数据,16B(64B)用于存放其他信息(包括:块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等)。NAND设备的随机读取得效率很低,一般以页为单位进行读操作。系统在每次读一页后会计算其校验和,并和存储在页内的冗余的16B内的校验和做比较,以此来判断读出的数据是否正确。 大块和小块NAND FLASH都有与页大小相同的页寄存器,用于数据缓存。当读数据时,先从NAND FLASH内存单元把数据读到页寄存器,外部通过访问NAND FLASH I/O端口获得页寄存器中数据(地址自动累加);当写数据时,外部通过NAND FLASH I/O端口输入的数据首先缓存在页寄存器,写命令发出后才写入到内存单元中。 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。 ,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。 = NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商 ,曾经是FLASH的主流产品,但现在被NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在油盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法 概述 RTC中断 ARM RTC具有两种类型的中断: 增量中断 用户可以通过读取中断位置寄存器(ILR)来区分中断类型。 报警中断 RTC中断 增量中断 CIIR[0] 秒值增加 CIIR[1] CIIR[2] CIIR[3] 中断位置寄存器 (ILR) 分值增加 小时值增加 日期(月)值增加 CIIR[4] RTCCIF 星期值增加 + …… 当秒、分、小时等增加时,触发增量中断。 计数器增量中断寄存器CIIR[0:7]分别用来控制增量中断的使能。 RTC中断 报警中断 RTC的当前时间与报警时间进行比较,当相等时,便触发报警中断。 报警屏蔽寄存器用来屏蔽相关的报警时间。 秒报警值(ALSEC) AMR[ 0 ] 当前秒值(SEC) 比 较 器 分报警值(ALMIN) AMR[ 1 ] 当前分值(MIN) 比 较 器 年报警值(ALYEAR) AMR[ 7 ] 当前年值(YEAR) 比 较 器 …… 中断位置寄存器 (ILR) RTCALF RTC使用示例 设置RTC基准 时钟分频器 初始化RTC时钟值 报警中断设置 启动RTC 读取当前时间 或等待中断 操作流程 嵌入式硬件及接口开发 1.应用系统设计概述 2. S3C2440A概述 3.存储器寻址 4.系统控制模块 5.存储器加速模块 6.外部存储器控制器 7.引脚连接模块 8.GPIO 9.向量中断控制器 10.外部中断输入 11.定时器 12.SPI接口 13.I2C接口 14.UART 15.A/D转换器 16.看门狗 17.脉宽调制器 18.实时时钟 19. Flash 4-19 Flash存储器及接口电路 Flash存储器是内存(Memory)的一种,但兼有RAM和ROM 的优点,是一种可在系统(In-System)进行电擦写,掉电后信息不丢失的存储器,同时它的高集成度和低成本使它成为市场

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