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习题第3章
【3-1】 如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN型还是PNP型?如何判断出管子的三个电极?锗管和硅管如何通过实验区别?
解:
预备知识
万用表欧姆挡可以等效为由一个电源(电池)、一个电阻和微安表相串联的电路,如图1.4.11所示。
图1.4.11 万用表等效图 图1.4.12 NPN和PNP管等效图
晶体管可视为两个背靠背连接的二极管,如图1.4.12所示。
晶体管3个区的特点:发射区杂质浓度大,基区薄且杂质浓度低,集电区杂质浓
度很低。因此,发射结正偏时,射区有大量的载流子进入基区,且在基区被复合的数量有限,大部分被集电极所收集,所以此时的电流放大系数β大。如果把发射极和集电极调换使用,则集电结正偏时,集电区向基区发射的载流子数量有限,在基区被复合后能被发射极吸收的载流子比例很小,所以β反很小。
2.判断方法
先确定基极:万用表调至欧姆×100或×1k挡,随意指定一个管脚为基极,把任一个表笔固定与之连接,用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻。若两次测得电阻都很大(或很小)。把表笔调换一下再测一次,若测得电阻都很小(或很大),则假定的管脚是基极。若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大,为NPN型,反之为PNP型。
判断集电极:在确定了基极和晶体管的类型之后,可用电流放大倍数β的大小来确定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断的方法。
先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起,并用一只手的中指和姆指捏住,红表笔与假定的发射极接在一起,再用捏集电极的手的食指接触基极,记下表针偏转的角度,然后两只管脚对调再测一次。这两次测量中,假设表针偏转角度大的一次是对的。这种测试的原理如图1.4.13所示。当食指与基极连接时,通过人体电阻给基极提供一个电流IB ,经放大后有较大的电流流过表头,使表针偏转,β大,表针偏转角度就大。因为ββ反, 所以表针偏转角度大的一次假设是正确的。
图 1.4.13 测试示意图
【3-2】 图3.11.1所示电路中,当开关分别掷在1、2、3 位置时,在哪个位置时IB最大,在哪个位置时IB 最小?为什么?
图3.11.1 题3-2电路图
[解] 当开关处于位置2 时,相当一个发射结,此时IB 最大。当开关处于位置1时,c、e短路,相当于晶体管输入特性曲线中UCE=0V的那一条,集电极多少有一些收集载流子的作用,基区的复合还比较大,IB次之。当开关处于位置3 时,因集电结有较大的反偏,能收集较多的载流子,于是基区的复合减少,IB最小。
【3-3】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图3.11.2所示,试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)?
图3.11.2 题3-3电路图
解:
晶体管从左到右,工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。
【3-4】 已知晶体管的=50,分析图3.11.3所示各电路中晶体管的工作状态。
图3.11.3 题3-4电路图
[解]
(a)电路中,基极电流,可以根据基极电流值求晶体管的管压降。然而在该电路中管压降不可能为负值,出现负值的原因是错误的计算了集电极电流,实际上集电极电流因有Rc的限制不能达到=10mA,故在该电路中集电极电路和基极电流不能满足倍的关系,工作在饱和区。
(b)电路中,发射结不能正偏,晶体管工作在截止区。
(c)电路中,,,管压降足以建立集电极结反压,晶体管工作在放大区。
【3-5】分别画出图3.11.4所示各电路的直流通路和交流通路。
图3.11.4 题3-5电路图
解:
直流通路,见图2-2(1)。
图2-2(b)
交流通路,见图2-2(c)。
图2-2(c)
【3-6】 放大电路如图3.11.5(a)所示,晶体管的输出特性曲线以及放大电路的交、直流负载线如图3.11.5 (b)所示。设,,试问:
1.计算、、;
2.若不断加大输入正弦波电压的幅值,该电路先出现截止失真还是饱和失真?刚出
现失真时,输出电压的峰峰值为多大?
3.计算放大电路的输入电阻、电压放大倍数Au和输出电阻。
4.若电路中其他参数不变,只将晶体管换一个β值小一半的管子,这时、、
以及将如何变化?
(a) (b)
图3.11.5 题3-6电路图
[解]
1.由图(b)可知IBQ=40mA、ICQ=2mA、UCEQ=5V、VCC=10V,所以
由交流负载线的概念可知,其斜率为-,而分析可知图中交流负载线的斜率为
对比可知,根据可得
2.由
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