恒定电场中电介质的极化讲义.pptVIP

恒定电场中电介质的极化 离子间电子云排斥能随距离增加迅速减小，故只需计及最近的 6 个正离子与被考察负离子间的排斥能，即： 根据式 (2-99) 和 (2-100) ，准弹性联系系数推导与一维相似。其结果为： 将氯化钠晶体马德隆常数 A 值代入式（2-102），有： 这一结果与 (2-97) 孤立离子对的情形有差别，其原因是： 三维计算中考虑了晶体中其它离子的影响，不过在数量级上近是相当接近的。 比孤立的一对离子模型精度高得多！ 2-102 2-101 2-103 2-100 立方点阵结构的氯化钠型离子晶体，除了具有电子位移极化以外，离子位移极化表现最为典型。要计算由电子位移极化和离子位移极化贡献的介电常数，可以直接应用克劳修斯-莫素缔方程，因为已证明，具有立方对称点阵结构的离子晶体中的有效电场，可以认为就是洛仑兹场，于是此时克-莫方程可以写成： 式中，e 为电子的电荷，K 为弹性联系系数。 将电子位移极化贡献的介电常数和离子位移极化贡献的介电常数分开： 式中，ε∞ 为电子位移极化贡献的高频介电常数。 7.3 三维离子晶体极化率与介电常数 （电子极化 + 离子极化） 2-105 2-104 表 2-7 是氯化钠型离子晶体的介电常数实验值和计算值。比较表中晶体的ε计算值和实验值，可以看出这两者均有偏差！对不同晶体，其偏差幅度明显有区别，大致可以分成以下三种情况： 表 2-7 碱卤晶体的介电常数 (1) 锂盐晶体正、负离子半径比值与电子极化率的比值（r－/r＋与 ?－/ ? ＋）两者相差很大，用上式算出的ε 值与ε实验值相差也大。原因就在于正、负离子处的有效电场不同，若不计及这一因素，将引入很大误差。(2) 钠盐晶体r－/r＋与 ?－/ ? ＋比较接近了一些，ε的计算值与实验值也比较接近了，但相差仍然较大，说明克-莫方程应用于这种晶体时仍需要修改。(3) 钾、铷盐晶体 r－/r＋与 ?－/ ? ＋ 比值相近，ε 的计算值与实验值符合较好。因此，在符合上述条件下，在处理晶体中有效电场和极化参数 (?e ， ε）时，才可以假设极化时离子的电子云相互畸变不大而近似地保持球形，并采用点偶极子的模型来计算。因而，应用克-莫方程不致引起过大误差。 比较表2-7中晶体的ε计算值和实验值，可以看出这两者均有偏差！对不同晶体，偏差幅度明显有区别，可以分成以下三种情况： (2) 正、负离子半径相差比较大时，将正、负离子视为点电荷模型已不再适用。需要考虑在正、负离子中电子云相互渗透的因素。因此，必须修正介电常数的计算公式 。 根据以上分析，可以得到这样的结论，即：(1) 克-莫方程可以应用于立方对称的晶体。但是，模型过于笼统和粗糙。需要从微观角度、依据不同情况处理。 温度对离子晶体介电常数的影响，可用介电常数温度系数 βε 表征。求取 βε 可用式 (2-104) 对温度求导得到： 7.4 离子晶体中介电常数-温度关系 2-106 温度升高时，由于电介质密度减小，电子极化和离子极化贡献的极化强度都减弱，使第一项为负值。 温度升高时，又使得离子晶体的弹性联系减弱，离子位移极化加强，其结果是，使第二项变为正值。 第一项与第二项数值相差不多，结果使离子晶体的βε值较小。 所以，离子晶体介电常数随温度升高而增大，但增加不多。 例如： 氯化钠晶体 βε 约为 3.4×10-4 1/℃； 氯化钾晶体 βε 约为 3.03×10-4 1／℃。 大多数离子晶体 βε 也是正的。 7.5 工程陶瓷/玻璃介质的电子极化和离子极化 工程陶瓷介质中，存在电子位移极化和离子位移极化。 其中，由正负离子在电场作用下发生的可逆位移引起的离子位移极化，是极化的主要贡献者。 陶瓷晶相的缺陷，会形成与陶瓷结构联系较弱的离子，称为弱系离子。在电场下，弱系离子会发生离子松弛极化。 玻璃中，由于常引入一价碱金属离子 ( Na＋、K＋ ) ，一价碱金属离子属于与玻璃结构联系较弱的弱系离子。 这类弱系离子在电场作用下会发生离子松弛极化。 但是，这种弱离子松弛极化与上述离子位移极化完全不同。 弱离子松弛极化与离子位移极化有着本质差别。 下一节会详细讨论弱离子松弛极化。 7.6 离子晶体的离子位移极化响应时间与极化损耗 1）离子位移极化响应时间： 对于只含形成剂氧化物 ( 如 SiO2，B2O3 ) 的纯玻璃： 由于其键能高、结构牢固，在电场下，电子位移极化与离子位移极化 表现得比较纯粹。因此，但纯玻璃的介电常数ε 并不高。 离子位移极化建立所需时间与离子晶格振动周期有相同量级： 10-12 秒 ~ 10-13 秒 离子位移极化建立所需时间比电子位移极化速率慢 2