（全新）DSP实验指导.docVIP

实验：实验 1. 理解F28335在硬件上如何扩展RAM内存。 2. 理解F28335在扩展RAM存储器上的编程。 二、实验设备 1．装有CCS5.2的计算机一台。 2．ZQ28335开发板、XDS100V2 USB仿真器、USB接口线及5V电源。 三、实验原理 F28335的片上存储器和片外存储器采用统一编址方式。当片内RAM存储器不够用时，可外接芯片扩展。扩展存储器只能在0x00 4000~0x00 5000的XINF 区域0、0x10 0000~0x20 0000的XINF 区域6和0x20 0000~0x70 0000的XINF 区域7，如图1所示。 1．外扩RAM电路 选用的RAM型号为IS61LV25616AL，256K×16bit大小。这里使用A17~A0，共18根地址线，最大为256K；数据线为D15~D0。片选信号CE接F28335的XZCS7引脚，写WE由XWE提供，RD（OE，Output Enable）信号均XRD提供。有硬件电路可知，外扩的RAM地址范围为0x20 0000~0x23 FFFF。 由于没有使用A19~A18地址线，在仿真时，凡低18位地址相同的单元，读出的内容都是同一个单元内容,如0x240000~0x27FFFF，0x280000~0x2BFFFF和0x2C0000~0x2FFFFF上读出的内容与0x200000~0x23FFF的内容相同。 2．外扩FLASH电路 FLASH存储器掉电后数据不会丢失，用于存放程序和需要保存的数据。本实验板选用的FLASH型号为SST39VF800，512K×16bit大小。这里使用A18~A0，共19根地址线，最大为512K；数据线为D15~D0。片选信号CE接F28335的XZCS6引脚，写WE由XWE提供，RD（OE，Output Enable）信号均XRD提供。有硬件电路可知，外扩的FLASH地址范围为0x10 0000~0x17 FFFF。 读FLASH的方法与普通的存储器没有区别，但写数据到FLASH及擦除等操作，则需要特定的命令，如表1所示。 图1 F28335内存映射 图2 F28335在区域7外接RAM芯片（仅使用A17~A0，256K） 表1 SST39VF800型FLASH存储器命令表 图3 F28335在区域6外接FLASH芯片（仅使用A18~A0，512K） 例如：一个字到FLASH（Word Program），需要4个周期。如将地址为DSPRamStart的随机存储器单元内容复制到FLASH的FlashStart单元，编程如下： *(FlashStart + 0x5555)= 0xAA; *(FlashStart + 0x2AAA)= 0x55; *(FlashStart + 0x5555) = 0xA0; *(FlashStart) = *(DSPRamStart); 3．实验功能分析 在《main_EXRAM.C》中，读写外部RAM与读写普通的存储器方法相同。在《main_NOR_FLASH.C》中读FLASH与普通存储器没有区别，但写FLASH等操作需要发送相应的命名。为叙述方便，将RAML7前半部分存储器简称为A，后半部分简称为B，FLASH存储器简称为C，外部RAM存储器简称为D。主函数的主要功能为 （1）初始化外部接口为16位的总线接口（InitXintf()）； （2）A初始化为0~0x3FF（InitRam(0)）； （3）擦除C（ChipErase()；execute_150ms）； （4）将A数据复制到C（写FLASH）（FlashWrite(0,0,0x400)）； （5）将B清零（EraseRam(0x0)）； （6）将C数据复制到B（读FLASH）（FlashRead(0,0,0x400)）； 图4 EXRAM及FLASH存储器分布简图 四、源程序分析 1．延迟函数 原型：void delay_loop(Uint32 x) 2．擦除整个FLASH数据函数 原型：Uint16 ChipErase(void) // FLASH芯片地址接在ZONE6段，地址从0x100000开始 // FlashStart=0x100000 // 擦除整个FLASH，擦除后，每个单元均为0xFFFF // 函数返回0：擦除完成（EraseOK=0） // 函数返回1：擦除超时退出（TimeOutErr=1） // 函数返回3：擦除错误（EraseErr=3） 3．将RAML7的数据写到FLASH函数 原型：Uint16 FlashWrite(Uint32 RamStart, Uint32 RomStart, Uint16 Length) // FlashStart=0x