《工艺实验报告.docVIP

贵州大学 实 验 报 告 微电子工艺实验报告 实验课程名称：微电子工艺 实验日期：2009年7月14日——17日 姓名：刘晓志 学号：2008020959 同组人：李嘉辉，徐舒晓 院系：理学院 专业：微电子学与固体电子学 指导老师：杨发顺 老师 实验地点：微电子工艺实验室 一、 实验项目名称：硅二极管 二、 实验目的： 根据所学习的半导体物理与器件的知识，能够制作出晶体硅二极管，并对测量的反向特性和正向特性进行分析。 三、 实验主要仪器设备、器材、药品 序号 主要设备、药品名称 序号 主要设备、药品名称 1 N衬底硅片 11 氧化炉 2 扩散炉 12 石英烧杯 3 匀胶机 13 量筒 4 光刻机 14 显影液，定影液 5 烘箱 15 过氧化氢 6 三探针测试台 16 氨水 7 晶体管特性测试仪 17 盐酸 8 显微镜 18 氢氟酸 9 去离子水制备系统 19 氟化氨 10 聚四氟乙烯烧杯 20 负胶去胶剂 四、 实验原理： 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 ? 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标。 最大整流电流：指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。 最高反向工作电压：加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定最高反向工作电压值。 反向电流：反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。 二极管的伏安特性曲线如上图所示，因为二极管加正向电压和反向电压时呈现出不同的状态，所以分正向伏安特性和反向伏安特性来说明。 正向伏安特性曲线指纵轴右侧的部分，它可以分成三段。 OS段：电压为零时电流也是零，电压从零开始增加时，电流不随之增加，电压增至0.6V左右的，二报管内才出现微弱的电流。这段曲线所对应的电压区域，叫做二极管的死区或不导通区，S点所对应的电压值叫死区电压，用Us表示．在室温下，硅材料的三极管Us在0.6V左右，锗材料的二极管Us在0.2V左右．这段曲线告诉我们，在给二极管加小于死区电压Us的正向电压时，二极管处于不导通状态，其内部电流几乎为零． SA段：电压增加时，电流随之明显增加，但电流与电压不成线性关系，曲线是弯曲的。例如，电压从0.6V变化至0.7V时，电流由40uA变化至80mA；当电压从0．7V变化至o．8V时，电流由80mA变化至160mA，即相同的电压变化量所引起的电流变化量是不同的，前者小后者大。这段曲线所对应的电压区域叫二极管的非线性区，处于这个区域的二极督已进入正向导通状态。 AC段：这段曲线很直，电流随电压增加按线性关系迅速上升。AC段所对应的电压区域称为二极管的线性区，处在这个区域的二极管不仅已完全导通，而且具有电流随电压变化而急剧变化的特点。 2．反向伏安特性曲线 反向伏安特性可以分成两段：0B段：该段曲线与横轴重合，说明电压的绝对值增大时，电流始终维持在零。这段曲线所对应的电压区域叫二极管的截止区，B点所对应的电压值叫击穿电压，用Ub表示，不同材料和类型的管子Ub值是不一样的。BE段：该段曲线很陡，说明电压的微小变化会引起电流的很大变化，此时我们称二极管进入了反向击穿状态。 关于二极管的伏安特性曲线还有以下几点需要说明： 第一，在没有限流措施的情况下，二极管加过大的正向电压或反向电压，都有可能使PN结因流过太大的电流而击穿，造成二极管的永久性损坏，因此加电压时要特别加以注意。但另一方面我们看到，处于线性区和反向击穿区的二极管，均具有电压的微小变化会引起电流的急剧变化的特点，利用这个特点可以使二极管在电路中起稳压作用，但前提是要有限流措施。 第二，伏安特性曲线所在坐标系横轴的正向和反向刻度是不一样的，也就是说，使二极管正向导通的电压比使它反向击穿的电压小得多。同理，纵轴刻度也是