数字集成电路第2章导论.ppt

第二章集成电路中的晶体管及其寄生效应 集成电路中的晶体管及其寄生效应 BE正偏 BC反偏 正向工作区 模拟 BE正偏 BC正偏 饱和工作区 数字 BE反偏 BC正偏 反向工作区 数字 BE反偏 BC反偏 截止工作区 模拟 集成电路中的晶体管及其寄生效应 由于衬底始终接最负的电位,以保证各隔离岛之间的绝缘,所以寄生的PNP管的集电结总是反偏 PNP管的发射结的偏置状态:可能正偏;可能反偏 当NPN管工作在饱和反向状态时，其BC正偏，亦即PNP管发射极正偏，PNP处于正向工作状态，有电流流向衬底，影响集成电路电路工作 晶体管EM模型 1954年J.JEBbers提出:基本思想是晶体管可认为是基于正向晶体管和基于反向晶体管（E、C互换）的叠加《晶体管原理》 αF 、αR分别是NPN管正反向运用时的共基极短路电路增益； αSF、αSR分别是PNP管正反向运用时的共基极短路电路增益 四层三结电流方程式 各结电流方程式 矩阵形式 三层二结结构电流方程式 集成双极晶体管的有源寄生效应 PN结正偏工作时，VF0 集成双极晶体管的有源寄生效应 PN结反偏工作时，VR0 集成双极晶体管的有源寄生效应 在电流叠加运算时，只计算 即可忽略反偏电流，当全部都反偏时，只考虑ISS项 VSC总是小于零的，所以 NPN管工作正向、截止区的情况 NPN管工作正向、截止区，NPN管的BC结压降VBC-NPN0，即PNP管的BE结压降 VBE-PNP0，因为PNP管的BC结压降 VBC-PNP0 所以PNP管截止IS‘=ISS近似为零，PNP管对NPN管基本没有影响，只是反向漏电流而已 NPN管工作反向区的情况 对于NPN管 VBE-NPN0 ，VBC-NPN0 对于PNP管 VBE-PNP=VBC-NPN0 ，VBC-PNP0 所以PNP工作在正向工作区 NPN管工作反向区的情况 NPN管工作反向区的情况 NPN管工作反向区的情况 PNP管对IE 、IB没有影响，而对IC则减少了 PNP管的导通结果，使相当大一股反向NPN管的“发射极”电流作为无用电流IS’而流入衬底 NPN管工作反向区的情况 要减少寄生PNP管的影响，增加有用电流的比值，就要减小寄生PNP管正向运用时的共基极短路电流增益αSF 掺金工艺：增加大量复合中心，而使少子寿命大大下降 埋层工艺：PNP基区宽度大大增加，且埋层上扩散在寄生PNP管基区形成减速场，使少子在基区的渡越时间增加 NPN管工作反向区的情况 以上两种方法均可使αSF大大下降，一般小于0.01 NPN管工作饱合区的情况 对于NPN管 VBE-NPN0 ，VBC-NPN0 对于PNP管 VBE-PNP0，VBC-PNP0 所以NPN工作在饱和工作区 PNP工作在正向工作区 NPN管工作饱合区的情况 NPN管工作饱合区的情况 NPN管工作饱合区的情况 要减少寄生PNP管的影响，增加有用电流的比值，就要减小寄生PNP管正向运用时的共基极短路电流增益αSF 掺金工艺：埋层工艺：增加?V:利用肖特基二极管,对BC嵌位,使VBC下降为0.5左右，这样可降低电流IS’。 集成双极晶体管的无源寄生效应 考虑电荷存储效应CJ 、 CD; 晶体管有效基区到晶体管各引出端之间的欧姆体电阻； 它们会对晶体管工作产生影响，称为无源寄生效应 集成NPN晶体管的寄生电阻 发射极串联电阻rES 集电极串联电阻rCS 基极电阻rB 发射极串联电阻rES 发射极串联电阻rES由发射极金属和硅的接触电阻rE-C与发射体电阻组成rE-B 发射体电阻很小（由于N+，1020CM-3） 接触电阻rE-C与发射级接触孔面积有关（反比） RC为硅与发射极金属的欧姆接触系数 集电极串联电阻rCS 基极电阻rB 基极电阻rB rB的误差较大 发射极电流有集边效应 所以工作点设计时可以取较大的IC，以降低rB；在版图设计上，采用双基或梳状电极，以减小rB 集成NPN晶体管的寄生电容 与PN结有关的耗尽层势垒电容CJ 与可动载流子在中性区的存储电荷有关的扩散电容CD；还有一个CS； 电极引线的延伸电极电容CPAD PN结有关的耗尽层势垒电容CJ计算 可利用劳伦斯-沃纳曲线,根据扩散的具体情况,直接从这些曲线族上查出有关扩散的单位面积结电容 假设:耗尽近似;恒定衬底浓度。 精确计算反偏集电结和隔离结（衬底结）势垒电容，不能直接计算发射结电容和正偏集电结电容。还有梅耶查表法算电容 扩散电容CD 扩散电容反映晶体管内可动少子存储电荷与所加偏压的关系 在PN结反偏时，少子是耗尽的，所以扩散电容是