3.2霍尔传感器导论.ppt

霍尔效应原理图 当电子的积累达到动态平衡时，则 电场力=洛伦兹力 洛伦兹力为： fL=-evB v——为电子的速度 e——电子的电量 B——磁感应强度 注意：规定正电荷所受洛伦兹力方向为正，因此电子的为负。 与此同时，霍尔电场作用于电子的电场力fE为： fE=(-e)(-EH)=eUH/b -EH——指电场方向与所规定的正方向相反 b——霍尔元件的宽度 UH——霍尔电动势 当动态平衡时， fL+ fE=0，于是 vB=UH/b （以下计算电子的速度v） 电子的电流密度为： j=-nev n——单位体积中的电子数 j ——电流密度 负号表示电子运动方向与电流方向相反 于是，电流强度I为： I=jS=jbd=-nevbd (b、d为霍尔元件的宽度和厚度) UH=-IB/ned (N型半导体材料) UH=IB/ped (P型半导体材料) p ——单位体积中空穴数 霍尔系数和灵敏度 霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱。 kH=1/ne 霍尔元件灵敏度含义：霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流作用下霍尔电动势的大小。 SH=kH/d 则 UH=SHIB 对于霍尔电动势UH=SHIB的解释： 1、金属的电子浓度高，它的霍尔系数或灵敏度都很小，不适合制作霍尔元件。 2、元件厚度d越小，灵敏度越高，但d过小，会导致元件的输入和输出电阻增加。 若磁场强度B不垂直于材料表面，与其法线成一角度? ，则此时霍尔电势为： UH=SHIBcos? 霍尔线性集成霍尔传感器 微位移测量 霍尔传感器构成的卫生间自动照明电路原理图 小磁铁块固定在电机 转子上，将霍尔传感器（开关型）靠近小磁铁附近，当电机转动后，磁铁会在一定周期内靠近传感器 一次，这样霍尔传感器 输出高电平， 当小磁铁远离传感器时， 传感器输出低电平。 实际测量时，要把霍尔传感器固定在直流测速电机的底板上，与霍尔探头相对的电机的轴上固定着一片磁钢块，电机每转一周，霍尔传感器便发出一个脉冲信号。 * 它由霍尔元件、差分放大器和射极跟随器组成。其输出电压和加在霍尔元件上的磁感强度B成比例，它的功能框图和输出特性示于图2和图3。 这类电路有很高的灵敏度和优良的线性度，适用于各种磁场检测。 * 霍尔开关电路又称霍尔数字电路，由稳压器、霍尔片、差分放大器，斯密特触发器和输出级组成。在外磁场的作用下，当磁感应强度超过导通阈值BOP时，霍尔电路输出管导通，输出低电平。之后，B再增加，仍保持导通态。若外加磁场的B值降低到BRP时，输出管截止，输出高电平。我们称BOP为工作点，BRP为释放点，BOP－BRP=BH称为回差。回差的存在使开关电路的抗干扰能力增强。 * 高斯计就是特斯拉计。高斯计是采用霍尔原理，配以霍尔偏值电路，放大电路，AD电路，显示电路，定标后用来测试磁感应强度（磁场强度）的仪器． 在CGS单位制中，磁感应强度的单位是高斯，因此叫高斯计．在SI单位制中，磁感应强度的单位是特斯拉，因此叫特斯拉计． 他们的关系为：1T(特斯拉)＝1000mT(毫特斯拉)=10000Gs(高斯)　 总之，他们本质是一个东西，只是测量的单位不同而已，特斯拉单位太大，一般采用毫特斯拉单位，现在很多人都喜欢用高斯单位，感觉要直观一点 * 霍尔式转速传感器是利用霍尔效应的原理制成的。霍尔效应是指在一个矩形半导体薄片上有一电流通过，此时如有一磁场也作用于该半导体材料上，则在垂直于电流方向的半导体两端，会产生一个很小的电压，该电压就称为霍尔电压。当磁性材料制成的传感器转子上的凸齿交替经过永久磁铁的空隙时，就会有一个变化的磁场作用于霍尔元件（半导体材料）上，使霍尔电压产生脉冲信号。根据所产生的脉冲数目即可检测转速。 * 霍尔元件是一种磁敏元件。利用霍尔元件做成的开关，叫做霍尔开关。当磁性物件移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此识别附近有磁性物体存在，进而控制开关的通或断。这种接近开关的检测物件必须是磁性物体。 * 3.2 霍尔式传感器 霍尔传感器工作原理 霍尔元件的结构和基本电路 霍尔元件的主要特性参数 霍尔元件驱动和放大电路 霍尔式传感器的应用 * 一、霍尔传感器工作原理 半导体薄片置于磁场(B)中，当有电流(I)流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电势，这种现象称霍尔效应。 产生的电动势称霍尔电势 半导体薄片称霍尔元件 磁场、电流和洛伦兹力符合左手定则。 * c d a b 霍尔效应演示 * 二、 霍尔元件的结构和基本电路 霍尔元件 * 三、霍尔元件的主要特性参数 (1) 输入电阻和输出电阻