BJT的主要电学性能参数.docVIP

BJT的主要电学性能参数 (小结)?? ? BJT的电学性能参数大体上可分为四类： （1）直流性能参数： ①直流电流放大系数αo和βo： BJT的直流电流放大系数就是输出直流电流与输入直流电流之比，其数值大小表征着直流放大的性能。电流放大系数与BJT的应用组态有关：共基极BJT的直流电流放大系数为αo≈Ic/Ie；共发射极BJT的直流电流放大系数为βo（或者hfe）≈Ic/Ib。注意，在计算电流放大系数时都未考虑集电结的反向电流。 电流放大系数与工作点有关，当偏置的电流或者电压超过某一定 数值时即将下降（这是由于Kirk效应和Early效应等影响的结果）；并且也与温度有关（因为BJT的电流具有正的温度系数的关系），将随着温度的升高而增大。 βo的数值一般为50～200。较大电流放大系数的晶体管不仅可以获得较大的电压增益；而且也将有利于在小电流下使用，以获得较高的输入交流电阻和较低的噪声，这是低噪声晶体管所要求的。 ②反向电流： Icbo～发射极开路的集电结反向电流。在发射极开路时，因集电结的抽出作用将造成发射结上有一定的浮空电势，但无电流从发射极流入（发射结边缘处的少数载流子浓度梯度为0），然而却有电流从集电极流出——这就是Icbo，实际上就是共基极组态的集电结反向饱和电流。ICBo要大于晶体管处于截止状态时的集电结反向饱和电流。 Iceo～基极开路的C-E之间的反向电流，又称为穿透电流。在基极开路时，因为发射结正偏、集电结反偏，所以这是共发射极组态BJT的一种特殊放大状态（即为共发射极放大组态中的输入开路情况）；虽然这时的基极电流为0，但是却有很小的集电结反向饱和电流Icbo通过晶体管，并被放大b倍后再从集电极流出——这就是Iceo： 晶体管的穿透电流Iceo要比Icbo大得多。并且当集电结有倍增效应（倍增因子为M）时，该穿透电流将更大： 穿透电流Iceo不但大于Icbo，而且也大于发射结短路时C-E之间的反向电流——Ices，这是由于这时通过发射结的电流只是集电结反向饱和电流Icbo的一部分（有一部分被短路掉了），所以输出电流Ices要小于β Icbo=Iceo。 Iebo～集电极开路的发射结反向电流。该反向电流与Icbo一样，数值很小，但要比晶体管处于截止状态时的漏电流大。 ③饱和压降： Vbes～发射极饱和压降。是共发射极晶体管在饱和状态工作时、B-E电极之间的电压降；该电压实际上也就是使晶体管产生饱和导通所需要的最小输入电压，一般近似为发射结的正向导通电压（Si-BJT约为0.7V）。 Vces～集电极饱和压降。是共发射极晶体管在饱和状态工作时、其C-E电极之间的电压降；该电压反映了晶体管开启状态的性能，实际上也反映了晶体管饱和导通时的功耗大小（饱和电流Ics与Vces的乘积就等于饱和时的功耗），应该越低越好。 晶体管的Vces主要来自于串联电阻。对于合金晶体管，则来自于输入端的串联电阻（可能是基极电阻）；对于双扩散外延平面晶体管，则来自于集电极串联电阻（集电区材料电阻以及电极接触电阻）。 ④发射结电压Vbe： 电压Vbe即是指晶体管处于导通状态时的发射结电压，主要决定于发射结的势垒高度，与半导体掺杂浓度和温度有关。对于Si-BJT，一般VBE=0.6V～0.7V。 当环境温度升高时，发射结势垒高度降低，则VBE减小（即发射结电压具有负温度系数）。发射结电压的温度系数与一般p-n结正向电压的温度系数相同，即Si-BJT发射结的约为–2mV/K，Ge-BJT发射结的约为–1mV/K。 此外，Vbe也将随着集电极电流的增加而有所下降，这是由于电流会引起晶体管发热的缘故（这种作用容易导致BJT电流增大而发生热击穿，需要在应用电路设计中加以防止）。 （2）极限性能参数： ①击穿电压： BVcbo～发射极开路时的集电结击穿电压。这是共基极BJT所能够承受的最高集电结反向电压。该击穿电压对应于反向电流Icbo的急剧增加，与临界击穿电场EC和半导体掺杂浓度N的关系为： 半导体的掺杂浓度越低，势垒区中的电场分布越均匀，该击穿电压就越高。 BVceo～共发射极BJT在基极开路时的集电结反向击穿电压。这是共发射极BJT的集电结所能够承受的最大反向工作电压。Vceo要低于Vcbo。该击穿电压对应于反向电流Iceo的急剧增加。因为Iceo要比Icbo约大βo倍，因此击穿电压BVceo相应地要比BVcbo低得多： 为了提高BVceo，就必须提高BVcbo；并且为了获得较高的BVceo，晶体管的bo不可选取得过大。 BJT发生电击穿的主要机理是雪崩击穿—— 一次击穿、以及一次击穿之后的二次击穿两种机理。对于大功率晶体管，二次击穿往往起着限制BJT安全工作区的重要作用。 ②最大集电极工作电流Icm： BJT由于存在Kirk效应或者Webster效