优·固体物理 第7章 半导体电子论2.pptVIP

* §7-3 半导体中电子的费米统计分布 根据费米统计定量阐明半导体中的电子和空穴—载流子激发的定量规律。 一、半导体载流子的近似波耳兹曼统计 在金属中，电子处于简并化的状态，费米能级在导带中间，费米能级以下的能级几乎完全为电子填满。而在一般半导体中（杂质不是太多的情况），费米能级位于带隙内，而且距离导带底（ ）或者价带顶（ ）的距离比 大的多，导带电子在导带各能级的分布满足费米分布： 由于 ，则上式近似为： ，即导带中的电子很接近经典的波耳兹曼分布。由于 ，导带能级中的平均电子数很小，这和金属中的简并化情况完全不同。 满带中空穴的分布为： 由于 ，则 。表明空穴能级越低（和费米能级间距越大），出现几率按波耳兹曼统计规律减小。无论是电子还是空穴，基本上按波耳兹曼统计分布，和金属简并情况完全不同。导带能级和满带能级都远离费米能级，所以导带中的电子、价带中的空穴都非常少。 二、 和载流子浓度 将导带底附近的电子和满带顶附近的空穴用有效质量描述，则态密度可以直接引用自由电子的能态密度公式。由于主要集中在导带底和满带顶附近