電容-電壓量測.pptVIP

簡介半導體材料與元件之電性量測 南台科技大學 光電工程系 吳坤憲 Semiconductor Material Device Characterization Physical and Chemical Characterization SIMS AES ESCA AFM RBS SEM TEM Electrical Characterization I-V C-V Four-Point Probe Hall Measurement PD Measurement 半導體製程常用之物理量測分析儀器 元件電特性量測 一、電容-電壓量測  (Capacitance-Voltage Measurement) 1.????? P-N 接面 2.????? 金-半接面 3.????? 金-氧-半電容 二、電流-電壓量測(Current-Voltage Measurement) 1.????? 元件之電流-電壓特性曲線 2.????? 二極體之理想因數 3.????? 半導體材料之能隙 4.????? 金-半接面之蕭特基位障高 5.????? 金-氧-半場效電晶體之通道 移動率 及轉導 6.????? 金-氧-半場效電晶體之次臨 界斜率 三、四點探針法 (Four Point Probe) 1.????? 電阻率 2.????? 雜質濃度 四、霍爾量測(Hall Measurement) 1.????? 摻雜型態 2.????? 載子濃度 五、光導衰減法 (Photoconductance Decay) 1. 少數載子之生命期 “電容-電壓”量測(1) ---- P-N 接面 量測半導體中之基板的雜質濃度以及雜質濃度分布 ( impurity concentration profile) 製作一個單側陡接面(p+-n junction) ，進行C-V量測，再將1/Cj2對V作圖可得一直線，所得之斜率即為基板的雜質濃度(NB) ，橫軸截距則為內建電壓Vbi。 若雜質濃度(N(W))分布並非定值，則可先進行C-V量測，再將1/Cj2對V作圖，由圖形之斜率（即d(1/Cj2)/dV ）可得到N(W) ，同時亦可求出該電容Cj所對應之W，如此便可連續改變反向偏壓(V)之大小並計算出相對應之N(W) 與W。由N(W) 對W之作圖中可得雜質濃度分布圖。 “電容-電壓”量測(2) ----金-半(M-S)接面 量測金半接面之內建電位與位障高度(Barrier Height ?Bn) 若半導體中之空乏區的濃度ND 為定值，則將C-V量測之結果取1/Cj2對V作圖可得一直線，橫軸截距則為內建電壓Vbi ，再經由公式計算出Vn，如此便可得?Bn = Vbi + Vn 。 “電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS C-V 量測分析之主要項目： 基板摻雜型態(substrate doping type) 若在負閘極偏壓下，高頻電容很大，而在正閘極偏壓下，高頻電容很小，為p型基板(NMOS)。反之則為n型基板。 氧化層厚度 dox (oxide thickness) 基板摻雜濃度 Na (substrate doping) 臨界電壓 VT (threshold voltage) 快速介面態位 Dit (fast interface state density) 移動離子電荷 Qm (mobile ion charge) 載子生命期 ? (carrier lifetime) “電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS C-V 量測分析之步驟： “電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) 理想MOS 電容之能帶圖與電荷分布： (a) 平衡 (equilibrium) (b) 聚積 (accumulation) (c) 空乏 (depletion) (d) 反轉 (inversion) “電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS 電容之理想C-V曲線： 低頻C-V曲線 1 ~ 100 Hz 高頻C-V曲線 ~ 1 MHz 深度空乏(deep depletion)C-V曲線 ~ 1 MHz, fast VG ramping rate “電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) 氧化層厚度 dox 之量測： 由低頻C-V曲線之強反轉區可量得絕緣層電容Ci。 ? Ci = ?ox / dox ，可得dox。 基板摻雜濃度 Na之量測： 由高頻C-V曲線之強反轉區可量得最小值電容Cmin。 ? Cmin