3次元成長.pptVIP

* 結晶工学特論　　第3回目 前回の内容 格子歪 結晶の歪 歪、応力、歪エネルギーの定義 不整合歪（基板と成長層の格子不整合に起因する歪） 熱歪（成長温度から室温に下げるとき、基板と成長層の熱膨張係数の差によって発生する歪） 今日の内容 格子欠陥 転位、積層欠陥 ミラー指数 結晶の方位、面の表現方法 半導体結晶でよく取り扱う歪 静水圧歪 １軸異方性歪 エピタキシーにおける歪 成長層(epitaxial layer)と基板(substrate)の組み合わせによって、成長層が歪むかどうかが決まる epi とsubが同じ場合（homo-epitaxy） 例：GaAs/GaAs, GaP/GaP, Si/Si 歪は生じない epiとsubが違う場合（hetero-epitaxy） 例：InGaAs/GaAs, GaN/Al2O3, SiGe/Si 歪が発生 ヘテロエピタキシーにおける歪の原因 格子不整合歪 成長層と基板の格子定数が異なる 熱歪 成長層と基板の熱膨張係数が異なる ヘテロエピタキシーでは基板の選択が重要 どちらも１軸異方性歪（成長層と基板の界面は２次元） ヘテロエピタキシーにおける成長層の歪 基板 （～500mm） 成長層 （～10mm） 厚さの違いにより、 成長層　 歪む 基板 歪まない と考えるのが一般的 基板が成長層と同じくらい薄くなると、基板も歪む 1軸異方性歪 epi. sub. epi. sub. 成長面内で圧縮 成長方向に引っ張り 成長面内で引っ張り 成長方向に圧縮 aepi asub aepi asub asub asub aepi aepi 熱による格子定数の変化（格子定数の温度依存性） 熱膨張係数 4.5×10-6 6.9×10-6 a[K-1] 5.8687 5.6533 aRT[?] InP GaAs 熱による格子間隔の変化（歪成長の場合） 成長面内 成長方向 のとき 熱による格子間隔の変化（成長温度で緩和し、降温する場合） 成長面内 成長方向 のとき 熱による格子間隔の変化（成長温度で緩和し、降温する場合） 歪の緩和 ３次元成長 転位（dislocation) クラック 3次元成長 ２次元成長 　成長面内に応力が生じる ３次元成長 　島の表面では表面方向に原子が動けるので歪エネルギーが低減できる 3次元成長部の歪エネルギー 歪エネルギー [eV] InAs/GaAs GaAs InAs 6.06 5.653 格子定数[?] InAs GaAs InAsが受ける歪は 圧縮歪 3次元成長を利用した量子ドットの形成 100? 1ML 2ML AFM像 断面TEM像 転位（dislocation) 転位がない状態 （歪んでいる） 転位がある状態 （歪は緩和した） 原子列が移動することによって、線状の欠陥が形成 塑性変形 extra half plane 刃状転位(edge dislocation)とらせん転位(screw dislocaton) 刃状転位 らせん転位 転位の方向と変位の方向が垂直 転位の方向と変位の方向が平行 らせん転位によるスパイラル成長 SiC 混合転位 Aの部分ではらせん転位 Bの部分では刃状転位 原子面の欠如、挿入による転位 原子面の欠如 原子面の挿入 積層欠陥 面心立方格子 　ABCABCABC??????ABC 六方最密格子 　ABABABABAB????ABAB 積層欠陥を含む場合 　ABCABCBCABCABCBABC 　ABCABCABCABCABCABC 閃亜鉛鉱構造の積層欠陥 面内で結晶が回転している でも結合手は過不足なく繋がっている 転位の電子顕微鏡写真（格子像） 格子定数 GaAs 5.653? InAs 6.07? 7%の格子不整合 GaAs InAs 上の写真を右斜め下から見たもの 閃亜鉛鉱構造の90°転位 *