第四章微电子封装的基板技术2.pptVIP

2. 等离子体显示板(PDP)用玻璃板 等离子体显示板有各种不同的结构，但它都是由两块玻璃板，在其上形成各种各样的功能层，贴合在一起，中间封入气体构成。通常，前面的玻璃基板称为前基板，后面的称为后基板。 目前，PDP用玻璃基板多采用苏打石灰玻璃。这种玻璃与普通平板窗玻璃基本相同，比LCD中薄膜三极管用无碱金属离子玻璃要便宜得多。对于PDP基板用玻璃的最主要要求是高屈服点。 在PDP中，除前、后玻璃基板外，障壁及透明介电质层、封接层等也都要使用玻璃材料。 PDP的结构示意图 4.6 复合基板 随着高密度封装技术的发展，单一材料、单一结构的基板已不能满足使用要求。复合基板可以实现多功能、高性能。 例如，除了基板搭载元器件、布线连接以及导热功能之外，还附加有电阻、电容、电感、电磁屏蔽、光学、结构体等功能；在高性能方面，做到电阻降低、阻抗匹配、传输性能提高，散热性能提高、力学性能改善、更便于高密度封装等。 为了达到上述目的，需要在结构、材料、工艺等方面采取必要的措施。 例如，在结构上采用多层化、薄膜化、微孔化及微细布线的方式；在材料上，使不同的材料在强度、热导、热膨胀系数、介电常数、绝缘性能等方面相互补充等。与此相应，需要采取各种不同的工艺。 如此看来，复合基板在功能上类型各异，材料和结构上种类繁多，工艺上更是各式各样，而且还在迅速发展中，目前还没有统一的命名标准。为了讨论方便，下面按照复合基板复合的目的，分功能复合、结构复合、材料复合三种类型加以介绍。 1. 功能复合基板 在基板内部形成电容C和电阻R，与基板做成一体化结构，除布线等功能之外，基板同时兼有C、R元件的功能。 在模拟电路中，构成元件的比例大致为：电阻(R) 50%,电容(C)20%，其他无源、有源及机构部件总共30%，可以看出C、R占大多数。如能将C、R内含于基板中无疑将大大缩短布线间距、减小体积、提高电路性能。 通常，实现C、R一体化的方法很多，主要方法有： 同时烧成法是从陶瓷生片阶段就将C、R置于其中，经叠层、热压，同时烧结而成； 厚膜多层法是在烧成的基板上形成厚膜多层电路，再经烧结而成； 印刷多层布线：在烧成的基板上印刷多层布线，在其中置入薄的片式电阻等，再经烧结而成。 目前，实用性最高的同时烧成法而成的基板有两种：多层印刷CR内含基板和生片叠层CR内含多层基板。 多层印刷CR复合基板 生片叠层低温共烧CR内含多层复合基板的断面结构 2. 结构复合基板 (1)树脂/陶瓷复合基板 这种结构复合基板可分为两类： 一类是在多层布线比较容易的陶瓷多层积层基板上，以介电常数低的树脂为介电层，形成薄膜多层布线构成复合基板； 另一类是在不含布线的陶瓷基板表面形成薄膜多层布线构成复合基板。 陶瓷材料采用氧化铝、莫来石、玻璃陶瓷、氮化铝等；树脂材料从耐热性的角度多使用聚酰亚胺或BCB(联二苯环丁二烯)；多层布线中使用电阻率低的Cu、Al等。 (2)树脂/多孔陶瓷复合基板 陶瓷材料的优点是热膨胀系数小、热导率大，但缺点是介电常数高，韧性差，容易破碎。陶瓷材料与树脂复合，相互取长补短，可以构成树脂/多孔陶瓷复合基板。 通过真空浸渍、使多孔陶瓷中充填树脂，并在陶瓷表面形成树脂层可以补强陶瓷的脆性。多孔化可以减少烧成收缩率，致使制取大块基板比较容易，而且能进行钻孔等机械加工。 (3)树脂/硅复合基板 硅是半导体材料，作为基板材料也有不少优势，如表面容易绝缘化，热膨胀吸收与硅芯片相同，热导率也较高等；因此通常采用树脂/硅复合基板。 先在硅圆片表面形成二氧化硅膜进行绝缘化处理，在其上采用与树脂/陶瓷复合基板同样的薄膜方式进行多层布线。布线为通常的条带状结构，介质层厚度为10-20um，导体层厚度5um上下，线宽20-50um，一般为3-8层。介质层一般选用玻璃转变点高的聚酰亚胺、BCB等。 3. 材料复合基板 这一类基板主要是材料的复合，如在Fe或Al等金属表面，包覆数十到数百微米的有机或无机绝缘层构成复合基板。 电路的形成方法为：在复合基板上贴附铜箔，经刻蚀形成；或利用丝网印刷厚膜浆料，经烧结而成。 在金属板表面形成绝缘层的称为金属基复合基板；在金属表面和背面全部形成绝缘层的称为金属芯复合基板。 金属基、金属芯复合