《精》光电子技术chapter1.pptVIP

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  • 2017-01-16 发布于北京
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光电子技术(2) ③、受激发分子返回基态时,发射光子,即发光。 发射波长: ?E=E2-E1, E2、E1分别为分子激发态和基态能量。 初始电子由阴极发射产生,阴极发射方式主要有三种: ①、热电子发射 使阴极温度升高,部分电子得到足够能量,克服金属的逸出 功,逸出金属表面。金属热发射电流密度: 式中A0=4?emek2/h3,?为金属的逸出功 光电子技术(2) 上式表明,升温或降低金属逸出功,均有利提高发射电流。 热电子发射是弧光放电的主要形式之一。 ②、正离子轰击发射 正离子轰击就是利用高动能的正离子轰击阴极,使阴极发射电 子,它是辉光放电的主要形式,又称冷阴极发射。由于冷阴极 发射效率很低,所以,辉光放电光源的阴极通常较大,做成圆 筒状。冷阴极发射对熔点要求不高,但要求能承受正离子轰击。 一般用铝、镍、铁、铜等材料做冷阴极。为了使正离子获得足 够动能,通常在阴极附近设置大的电位差。 ③、场致发射 场致发射就是对阴极表面施加强电场,克服逸出功,使大量的 电子发射。它是目前正在研究、应用于平板显示的一种技术。 光电子技术(2) 2、气体辐射 根据能带理论,当施加强电场时,能带会发生弯曲,从而降 低了表面的逸处功。 电子从阴极到达阳极过程中要与气体分子发生复杂的相互作用, 气体分子被加速电子轰击后会跃迁到高能级或电离,处于激发 态的分子不稳定,会自发辐射返回基态,并发射出光子,光子

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