第讲绪论和二极管.ppt

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第讲绪论和二极管

3 在正向导通时,稳压管的正向特性与普通二极管相同,其导通电压为0.7伏。 4 稳压管的工作条件: 5 稳压管的主要参数 (1)稳定电压 (2)最小稳定电流 (3)最大稳定电流 (4)动态电阻 (5)额定功耗 1.反偏且击穿; 2. 稳压管反向击穿后,通过规定电流时相应的电压值。 稳压管稳定工作条件 与普通二极管比较 相同点: 1.正向、反向特性相同; 不同点(反向击穿特性): 1.稳压二极管比较陡; 2.UBRUZ。 例: 已知:UZ1=5V,UZ2 =6V, 求:UI=+15V,-15V,-8V 时的Uo。 作业:1-3,1-9,1-10,1-11,1-22 奇数周的周一交作业。 人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操, 给我们巨大的精神力量, 鼓舞我们前进。 * 自由电子带负电 空穴带正电 电中性 本征热激发产生电子-空穴对。当温度升高(加热或光照),价电子获得足够的能量挣脱原子核及共价键的束缚,进入自由空间成为自由电子参与导电,同时在原来的位置上留下空位,称为空穴。这个过程称为本征热激发。 Key Words: 本征热激发 电子-空穴对 动态平衡 空穴是怎样产生的呢? 二、杂质半导体 1 定义: 按掺杂的不同分为P型(Positive--空穴型)和 N型(Negative--电子型)两种杂质半导体。 (1)P型半导体 (掺入少量杂质的半导体) 在本征半导体中掺入微量的三价元素(硼) 受主杂质: 多数载流子 — 多子 少数载流子 — 少子 三价杂质原子在电离中接受了一个电子 在P型半导体中,空穴是多子,电子是少子。 结论 空穴浓度远大于电子浓度 (2)N型半导体 施主杂质 磷原子丢失一个电子时就变成了带正电的正离子 电子的浓度远远大于空穴的浓度。 结论:在N型半导体中,电子是多子,空穴是少子。 在本征半导体中掺入微量的五价元素 三、PN结 1 PN结的形成 浓度差 空间电荷区 (内电场) 少子的漂移运动 动态平衡 稳定的空间电荷区 多子的扩散运动 P N 2 PN结 在P型和N型半导体交界面出形成的空间电荷区。 耗尽区、阻挡层、势垒层 几微米~几十微米 内电场的电势差:Si 0.5~0.7V Ge 0.1~0.3V 电中性 3 PN结的特点:单向导电性 (1)外加正向电压(正偏置)—PN结导通 PN 结正偏 PN 结正向导通 外电场与内电场方向相反 利于扩散 扩散 漂移 PN 结变窄 外部电源不断提供电荷 产生较大的扩散电流 I 克服内电场,呈现低阻性,电流大。 (2)外加反向电压(反偏置)—PN结截止 PN 结反偏 PN 结反向截止 外电场与内电场方向相同 利于漂移 漂移 扩散 PN 结变厚 外部电源不断提供电荷 产生较小的反向电流 I 呈现高阻性,电流小,基本饱和。 克服内电场,呈现低阻性,电流大。 PN结正偏导通;反偏截止, 这种性质称PN结的单向导电性。 结论: 3 PN结的电容效应(了解) 势垒电容+扩散电容 第二节 半导体二极管 一、二极管的结构 按PN结分 点接触 面接触 按材料分 硅管 锗管 按用途分 普通管 整流管 D Diode 二、二极管的伏安特性曲线及电流方程式 1.二极管的电流方程式 常温下,UT = 26 mV 反向饱和电流 温度 电压当量 加正向电压时 加反向电压时 当 时 2 伏安特性曲线 二极管的伏安特性 iD = 0 Uon = 0.5~0.7 V 0.1~0.3 V (硅管) (锗管) 0 ? U ? Uon Uon :开启电压或死区电压 (1).正向特性 U DQ? Uon UDQ = (0.6 ? 0.8) V 硅管取 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管取 0.2 V 工作电压 二极管的伏安特性 U(BR) ? U ? 0 iD = IS 0.1?A(硅) 几十?A(锗) U U(BR) PN 结两端外加的反向电压增加到一定值时反向电流急剧增大 (反向击穿) (2).反向特性 三、环境温度对伏安特性曲线的影响 当温度升高时,正向特性曲线左移。 反向饱和特性曲线下移。 其变化规律为 温度升高时,Uon减小,Is增大 四、二极管的主要参数 1 最大整流电流 3 最大反向工作电压 4 反向电流

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