《精》微机接口_第9章_2_8255、8253习题课.pptVIP

目的和任务： 1、I/O接口的寻址方式。 2、I/O设备接口电路与CPU的连接。 3、简单接口电路74LS373、74LS245。 4、DMA控制器8237 重点：I/O设备与CPU的连接，DMA控制器芯片8237的学习是本章重点。 复习： 1．CPU的三总线的形成。 RAM与存贮器的连接及读写。 CPU与外设之间进行信息交换必须考虑两个问题： １、外设怎样与CPU连接，以进行数据，状态和控制信号的转换。 ２、CPU怎样寻址相应的外部设备。 本章围绕这两个问题讨论CPU支外部设备的寻址、存取、输入输出的基本方法及微处理器对输入输出的控制。 肖特基特性:金属半导体结的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。肖特基型脉冲上升时间很短，适用于高速数字电路。） 目的和任务： 1、I/O接口的寻址方式。 2、I/O设备接口电路与CPU的连接。 3、简单接口电路74LS373、74LS245。 4、DMA控制器8237 重点：I/O设备与CPU的连接，DMA控制器芯片8237的学习是本章重点。 复习： 1．CPU的三总线的形成。 RAM与存贮器的连接及读写。 CPU与外设之间进行信息交换必须考虑两个问题： １、外设怎样与CPU连接，以进行数据，状态和控制信号的转换。 ２、CPU怎样寻址相应的外部设备。 本章围绕这两个问题讨论CPU支外部设备的寻址、存取、输入输出的基本方法及微处理器对输入输出的控制。 肖特基特性:金属半导体结的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。肖特基型脉冲上升时间很短，适用于高速数字电路。） 目的和任务： 1、I/O接口的寻址方式。 2、I/O设备接口电路与CPU的连接。 3、简单接口电路74LS373、74LS245。 4、DMA控制器8237 重点：I/O设备与CPU的连接，DMA控制器芯片8237的学习是本章重点。 复习： 1．CPU的三总线的形成。 RAM与存贮器的连接及读写。 CPU与外设之间进行信息交换必须考虑两个问题： １、外设怎样与CPU连接，以进行数据，状态和控制信号的转换。 ２、CPU怎样寻址相应的外部设备。 本章围绕这两个问题讨论CPU支外部设备的寻址、存取、输入输出的基本方法及微处理器对输入输出的控制。 肖特基特性:金属半导体结的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。肖特基型脉冲上升时间很短，适用于高速数字电路。） 目的和任务： 1、I/O接口的寻址方式。 2、I/O设备接口电路与CPU的连接。 3、简单接口电路74LS373、74LS245。 4、DMA控制器8237 重点：I/O设备与CPU的连接，DMA控制器芯片8237的学习是本章重点。 复习： 1．CPU的三总线的形成。 RAM与存贮器的连接及读写。 CPU与外设之间进行信息交换必须考虑两个问题： １、外设怎样与CPU连接，以进行数据，状态和控制信号的转换。 ２、CPU怎样寻址相应的外部设备。 本章围绕这两个问题讨论CPU支外部设备的寻址、存取、输入输出的基本方法及微处理器对输入输出的控制。 肖特基特性:金属半导体结的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所