《精》计算机组成原理存储器EM实验.doc

实验二 存储器EM实验 一、实验目的： 了解模型机中程序存储器EM的工作原理及控制方法。 二、实验要求： 利用COP2000实验仪上的K16..K23开关做为DBUS的数据，其它开关做为控制号，实现程序存储器EM的读写操作。 三、实验原理： 　存储器EM由一片6116RAM构成，通过一片74HC245与数据总线相连。存储器EM的地址可选择由PC或MAR提供。 　存储器EM的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS的数据还可以来自一片74HC245。当ICOE为0时，这片74HC245输出中断指令B8。 EM原理图 连接线表 连接 信号孔 接入孔 作用 有效电平 1 J2座 J3座 将K23-K16接入DBUS[7:0] 2 IREN K6 IR, uPC写允许 低电平有效 3 PCOE K5 PC输出地址 低电平有效 4 MAROE K4 MAR输出地址 低电平有效 5 MAREN K3 MAR写允许 低电平有效 6 EMEN K2 存储器与数据总线相连 低电平有效 7 EMRD K1 存储器读允许 低电平有效 8 EMWR K0 存储器写允许 低电平有效 9 PCCK CLOCK PC工作脉冲 上升沿打入 10 MARCK CLOCK MAR工作脉冲 上升沿打入 11 EMCK CLOCK 写脉冲 上升沿打入 12 IRCK CLOCK IR, uPC工作脉冲 上升沿打入 四、实验内容： 内容1：PC/MAR输出地址选择 置控制信号为： K5 (PCOE) K4 (MAROE) 地址总线 红色地址输出指示灯 0 1 PC输出地址 PC地址输出指示灯亮 1 0 MAR输出地址 MAR地址输出指示灯亮 1 1 地址总线浮空 0 0 错误, PC及MAR同时输出 PC及MAR地址输出指示灯亮 以下存贮器EM实验均由MAR提供地址 内容2：存储器EM写实验 　 1将地址0写入MAR 　 2将11H写入EM[0] 　 3将地址1写入MAR 　 4将22H写入EM[1] 内容3：存储器EM读实验 　　　 1将地址0写入MAR 2读EM[0]的内容 3将地址1写入MAR 4读EM[1]的内容 内容4：存储器打入IR指令寄存器/uPC实验 　　　 1将地址0写入MAR 　　　 2读EM[0],打入IR 3将地址1写入MAR 4读EM[1],打入IR 操作步骤： 1．PC/MAR输出地址选择 按照连接表连接好线路，要选择PC,则将K5(PCOE)置为0,K4(MAROE)置为1，则可选择PC，此时PC地址输出指示灯亮(红色灯亮)，同理要选择MAR,则将K5(PCOE)置为1,K4(MAROE)置为0，则可选择MAR，此时MAR地址输出指示灯亮(红色灯亮)。 2．存储器EM写实验 1将地址0写入MAR 把输入信号置并把K0，K2，K3置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址0写入MAR。 2将11H写入EM[0] 将输入信号置并将K0，K2，K3置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址11H写入EM[0]，把K4置为低电平，把地址0输出到地址总线上 3将地址1写入MAR 把输入信号置并把K0，K2，K3置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址0写入MAR。 4将22H写入EM[1] 将输入信号置并将K0，K2，K3置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址22H写入EM[1] ,把K4置为低电平,把地址1输出到地址总线上。 3．存储器EM读实验 1将地址0写入MAR 把输入信号置并把K0，K2，K3置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址0写入MAR。 2读EM[0]的内容 把K1，K2，K4 置为低电平，打入上升沿脉冲，即可读出EM[0]的内容 3将地址1写入MAR 把输入信号置并把K3置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址1写入MAR。 4读EM[1]的内容 把K1，K2，K4 置为低电平，打入上升沿脉冲，即可读出EM[0]的内容 4．存储器打入IR指令寄存器/uPC实验 1将地址0写入MAR 把输入信号置并把K0，K2，K3置为低电平，打入上升沿脉冲，便把地址0写入MAR。 2读EM[0],打入IR 将K1，K2，K4置为低电平, 打入上市沿脉冲,然后将K6置为低电平，再打入上升沿脉冲，即将EM[0]的内容打入IR。 3将地址1写入MAR 把输入信号置并把K0，K2，K3置为低电平，打入上市沿脉冲，便把地址1写入MAR。 4读EM[1],打入IR 将K1，