《集成电路设计基础作业2011.docVIP

集成电路设计基础—电子信息工程10 课程作业1（第一周） 第一章 集成电路设计概述基础习题 1-1 按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？ 1-2 什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 1-3 多项目晶园（MPW， Multi-Project Wafer）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ 1-4 集成电路设计需要哪4个方面的知识？ 要求：从以上题目中任选2题完成！！ 集成电路设计基础—电子信息工程10 课程作业2（第二周） 第二章 集成电路材料、结构与理论习题 2-1 为什么硅（Si, Silicon）材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用？ 2-2 砷化镓（GaAs, Galliumarsenide）和磷化铟（InP, Indiumphosphide）材料各有哪些特点？ 2-3 在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？在怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？ 2-4 说出多晶硅(Polysilicon)在CMOS工艺中的作用？ 2-5 列出你知道的异质半导体材料系统。 2-6 绝缘体上硅（SOI，Silicon ON Insulator）-7 肖特基接触和欧姆接触各有什么特点？ 2-8 简述双极型晶体管(BJT, Bipolar Junction Transistor)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metallic-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的工作原理。 要求：从以上题目中任选4题完成！！ 集成电路设计基础—电子信息工程10 课程作业3（第三周） 第三章 集成电路基本工艺习题 3-1 写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 3-2 写出掩模在IC制造过程中的作用，比较整版掩模和单片掩模的区别，列举三种掩模的制造方法。 3-3 写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？ 3-4 X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ 3-5 说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。 3-6 列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。 要求：从以上题目中任选3题完成！！ 集成电路设计基础—电子信息工程10 课程作业4（第四周） 第四章 集成电路设计概述基础习题 4-1 Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？ 4-2 比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。 4-3 什么是MOS工艺的特征尺寸？ 4-4 为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺的主流技术？ 4-5 为什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管？ 4-6 简述CMOS工艺的基本工艺流程。 4-7 常规N阱CMOS工艺需要几层掩模？每层掩模分别有什么作用？ 要求：从以上题目中任选4题完成！！ 集成电路设计基础—电子信息工程10 课程作业5（第五周） 第五章 MOS场效应管的特性习题 5-1 画出MOSFET的基本结构。 5-2 写出MOSFET的基本电流方程。 5-3 什MOSFET的饱和电流取决于哪些参数？ 5-4 为什么MOSFET是平方率器件？ 5-5 什么是MOSFET的阈值电压？它受哪些因素影响 5-6 什么是MOS器件的体效应。 5-7 说明L、W对MOSFET的速度、功耗、驱动能力的影响。 5-8 MOSFET按比例收缩后对器件特性有什么影响？ 5-9 MOSFET存在哪些二阶效应？分别是由于什么原因引起的？ 5-10 说明MOSFET噪声的来源、成因及减小的方法。 要求：从以上题目中任选4题完成！！ 集成电路设计基础—电子信息工程10 课程作业6（第六周） 第六章 集成电路器件及SPICE模型习题 6-1 芯片电容有几种实现结构？ 6-2 采用半导体材料实现电阻要注意哪些问题？ 6-3 画出电阻的高频等效电路。 6-4 芯片电感有几种实现结构？ 6-5 微波集成电路设计中，场效应晶体管的栅极常常通过一段传输线接偏置电压，试解释其作用。 6-6 微带线传播TEM波的条件是什么？ 6-7 常在芯片上设计微带线时，如何考虑信号完整性问题？ 6-8 列出共面波导的特点。 要求：从以上题目中任选4题完成！！ 集成电路设计基础—电子信息工程10 课程作业7（第七周） 第七章 SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法习题 7-1 芯集成电路电路级模拟的标准工具是什么软件？能进行何种性能分析？ 7-2 写出MOS的SPICE元件输入格