瞬态干扰抑制讲解解析.pptVIP

主要内容 接在开关两端的开关防护电路 直击雷 感应雷 感应雷 浪涌 浪涌 雷电浪涌对机房电子设备造成损害的主要途径 雷电危害防护 雷电危害防护 雷电危害防护 * 瞬态干扰：指时间很短，但幅度较大的电磁干扰。常见的瞬态干扰（设备需要通过试验验证其抗扰度）有三种：电快速脉冲（EFT）、浪涌（SURGE）、静电放电（ESD）。 电快速脉冲：由电路中的感性负载断开时产生。其特点是不是单个脉冲，而是一连串的脉冲，因此，它对电路的影响较大。因为一连串的脉冲可以在电路的输入端产生累计效应，使干扰电平的幅度最终超过电路的噪声门限。从这个机理上看，脉冲串的周期越短，则对电路的影响越大。因为，当脉冲串中的每个脉冲相距很近时，电路的输入电容没有足够的时间放电，就又开始新的充电，容易达到较高的电平。 浪涌：浪涌主要是由雷电在电缆上感应产生的，功率很大的开关也能产生。浪涌的特点是能量很大，室内的浪涌电压幅度可以达到6kV，室外往往会超过10kV。浪涌虽然不象EFT那么普遍，但是一旦发生危害是十分严重的，往往导致电路的损坏。 静电放电：雷电现象实际就是一种静电放电现象，它对设备电缆的影响已经体现在浪涌试验中了。实际环境中的另一类主要现象是人体接触设备时的静电放电。但在一些标准中增加了比人体放电更严酷的装置放电。这些静电放电对设备造成的影响从本质上讲以辐射干扰为主，这在后面详细介绍。 三种瞬态干扰的比较： 1 脉冲上升时间：ESD — 极快，1ns，EFT— 很快，约5ns，浪涌— 慢，?s数量级。 2 能量：ESD — 低，EFT（单个脉冲）— 中等，浪涌— 高 3 电压（负载阻抗高）：ESD — 15kV以上，EFT — 10kV以下，浪涌— 10kV以下 4 电流（负载阻抗低）：ESD — 人体放电为几十A，装置放电可达数百A，EFT—几十A， 浪涌 — 几千A . 说明：NEMP（核电磁脉冲）也会在电缆中感应出浪涌，但它的上升时间很短，在ns级。 * 在电气和机电设备中常见的一种瞬态干扰是由继电器、马达、变压器等电感器件产生的。一般这些器件构成系统的一部分，因此干扰往往在系统内部产生。设计人员对此应给予足够的重视。 瞬态干扰产生的机理：在电感负载的电路中，当开关断开时，根据电感的特性，电感上的电流不能突然消失，为了维持这个电流，电感上会产生一个很高的反电动势，根据楞次定律，这个电压为： E = d? / dt = -L ( di / dt ) ? = 电感中的磁通（T ? m2） L = 电感（H） I = 电感中的电流（A） 这个反电动势向电感的寄生电容C反向充电。随着充电电压的升高，触点上的电压也升高，当达到一定程度时，将触点击穿，形成导电通路，电容C开始放电，电压开始下降，当电压降到维持触点空气导通的电压以下时，通路断开，又重复上面的过程。这种过程一直重复到由于触点之间的距离增加，电容上的电压不能击穿触点为止。 当电容不能通过击穿触点放电时，就通过电感回路放电，直到电感中的能量耗尽为止。 说明1：随着触点的距离越来越远，击穿触点需要的电压越来越高，因此电容上的电压越来越高。 说明2：随着击穿触点需要的电压越来越高，电容充电的时间越来越长，因此震荡波形的频率越来越低。 说明3：电容C每次击穿触点向电源回路反向放电时，会在电源回路上形成很大的脉冲电流，由于电源阻抗的存在，这些脉冲电流在电源两端形成了脉冲电压，从而对共用这个电源的其它电路造成影响。 R只为电感器提供瞬念放电通路．但同时区消耗稳念功率，如果R＝RL，则开关于断时，月两端产生的瞬态电压峰值等于电源电压值，这时开关两端的“可能的开路电压”则等于电源电压的两倍。 V尺是一个压控电阻器(vafistor)，当其端电压低时，等效阻值大，端电压高时，阻值降低 ，相比，它的优点是稳态损耗铰低。 较好的瞬态噪声抑制电路是 R与c串联网络，稳态时它们不消耗任何功率，而在开关开断瞬到，电容器〔”相当于短路，依靠电阻R抑制瞬态电流峰值。 1 C 被充电， 放电电流小于最小弧光维持电流 2 触头间电压低于限值 3 触头起始电压上升率低于限值 * * 原因是大部分浪涌抑制器件在多次使用后，可能失效 ，军事上是尽量不用的 当空间允许时，要首先用低通滤波器 但是，对于脉宽较宽，低通滤波器的作用有限，还需要使用浪涌抑制器件 * 瞬态干扰是指时间很短，但是幅度很大的干扰。这种干扰一般有两种形式，一种是内阻 很小的信号源产生的电流很大的脉冲干扰，另一种是衰减正弦波。 对这类干扰可以用瞬态抑制器件进行抑制。 瞬态抑制器件分为两类，一类是基于气体放电机理的，成为气体放电管。另一类是基于非 线性电阻特性的，例如压敏电阻和顺态抑制二极管。三种器件的特性如图所示。它们的共 同特点是，当器