《飞思卡尔HCS12xmemorymap解说之.docVIP

飞思卡尔 HCS12(x) memory map解说之1[原] 热16已有 905 次阅读 2010-01-26 14:41 标签: map memory 卡尔 解说 对于用MCU的人来说，不一定要明白HCS12(x) memory map的机制和联系。因为如果没有系统地学习操作系统 和编译原理之类的课程，确实有些难度。并且，对于DG128 XS128这样的MCU，默认的memory分配方式已经够用 了。从这个意义上讲，搞清楚memory map似乎不必要。 但是，你有没有RAM不够用的情况？有没有想定义变量到FLASH ROM的情况？有没有因为欲提高寻址效率而定 义变量到非分页区的情况？有没有写EEPROM但没写成功的情况？ 飞思的memory非常灵活，通过地址映射来提高效率是芯片制造商的一惯作风（当然，首先这个CPU要有这种 寻址和内存映射转换机制），但是，纵观HCS12(x) memory map的东西，真是做到极限了。用我以前的话讲是 ，用有限的资源获得无限的好处了。看看DG128，64K的逻辑空间，映射之后RAM EEPROM FALSH ROM，都可以充 分发挥作用，而且扩展FLASH也方便。而XS128更高级一筹，有专门的MMC管理HCS12(x) memory map。 我大体上了解这两个片子的HCS12(x) memory map，因此就此谈谈理解和看法，如有错误，请大家不吝指出 首先，说说6个概念。 1 memory map 地址映射，不要理解成内存映射，内存是RAM。 2为什么要映射？因为CPU的寻址是对物理地址操作，但是单片机的RESET之后只有相对地址。相对地址，我理 解为是一块一块的，不是连断的。相对地址，顾名思义，是个相对的，没有映射之前，CPU是找不到他的，也 用不了相对地址的数据。 粘一句百度上的解释：为了保证CPU执行指令时可正确访问存储单元，需将用户程序 中的逻辑地址转换为运行时由机器直接寻址的物理地址，这一过程称为地址映射。 3 RAM，这个不多说，是存变量和栈的东西，高速，掉电即失。 4 EEPROM，这个是一种特别的FLASH。一般用来保存少量数据，掉电不会丢失。FLASH也是非易失的，SD卡就是 一种FLASH。EEPROM和普通FLASH的区别，在于读写时的字节操作上。这个我基本上没有体会，因为是相当底层 的东西。 5 FLASH和ROM，在HCS12(X)里，建议把FLASH和ROM等同起来理解。大家的程序就是放在这里面的。还有一个 CONST变量和中断向量也是存在这里面的。ROM可能有个误区，只能读不能写，一次性的，不错。但是，有加个 前提，应该是可控的ROM。 6 还有一个重要的register 空间，这个是存放I/0地址和单片机可编程寄存器的空间，是厂家定义的。在头文件里可以看到。如extern volatile PORTABSTR _PORTAB @(REG_BASE + 0就是典型的register 空间映射。 我把memory map理解成为3个内容：一个是映射管理，一个是分页机制,一个是寻址的问题。映射管理，就 是单片机RESET之后，逻辑地址和物理地址之间的关系。分页机制的产生主要由于16位寻址能力有限，需要分 页解决，另外在虚拟内存管理上可以获得更多的优势。 至于，CPU寻址的问题，这个就不深纠了。 这次以DG128的为例，XS128的稍复杂一些。理解了DG128的，XS128的问题就不大。 先说一说映射管理：DG128里通过设置INITRG、INITRM、INITEE来实现映射。具体的设置看DS吧。默认情况 下：register 空间映射到0X0000到0x03FF,这个优先级最高。RAM空间映射到0x0400-0X1FFF，看到没有，实际 上只有7K，也就是说能用的RAM只有7K。但是，DG128的RAM有8K的逻辑空间啊。所以，可以改INITRG、INITRM 、INITEE重映射以提高RAM的实际可用空间。怎么改，看需要了。WJ在这里逻嗦一句，可以看看PE是怎么改的 。而FLASH映射了3个，有两个非分页地址0x4000-0x7FFF和0xC000-0xFEFF。还有一个分页地址，这一个分页地 址有6个页面。6个页面占用一个分页窗，用一个逻辑空间，如何让这6个页面协作工作并让CPU能找到他们呢？ 这就是分页管理机制的内容。这6个页面分别是： PAGE_38 = READ_ONLY 0x388000 TO 0x38BFFF; PAGE_39 = READ_ONLY 0x398000 TO 0x39BFFF;