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集成电路Cu互连线的XRD研究 2008年12月22日 15:16 ???? 半导体技术 徐赛生１，曾磊１，２，张立锋１，顾晓清１，张卫１，汪礼康１ 1复旦大学微电子学系 复旦诺发互连研究中心，上海200433； 2罗门哈斯电子材料（上海）有限公司，上海201203 ０引言 随着芯片集成度的不断提高，Ｃｕ已经逐渐取代Ａｌ成为ＵＬＳＩ互连中的主流互连材料。Ｃｕ电沉积层的性质取决于其结构，在电结晶过程中，Ｃｕ镀层由于不同晶面的生长速度不同而导致织构化，表现出不同的性能。国内有关Ｃｕ镀层织构的研究主要集中在冶金级电镀和ＰＣＢ布线方面，几乎没有对于集成电路Ｃｕ互连线织构的文献报道。ＰＣＢ中线路的特征尺寸为几十微米，而芯片中Ｃｕ互连的特征尺寸是１μｍ，因此对亚微米级厚度Ｃｕ镀层的性能研究显得尤为必要。 不同晶面择优对集成电路Ｃｕ互连线性能的影响很大。有研究结果表明，Ｃｕ（１１１）晶面抗电移性能是Ｃｕ（２００）晶面的４倍，这可能是由于其致密结构决定的。Ｃｕ镀层晶面的择优情况与电沉积条件、添加剂、镀层厚度以及衬底等因素密切相关。本文针对ＩＣ工业中主要使用的硫酸盐电镀Ｃｕ体系，使用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究Ｃｕ镀层织构与电沉积条件等因素之间的关系。 １实验 本文中使用了两种Ｓｉ片：第一种是ｐ型（１００）Ｓｉ片，首先在Ｓｉ片上ＰＥＣＶＤ（ＣｏｎｃｅｐｔＯｎｅ２００ｍｍＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃＳｙｓｔｅｍ，Ｎｏｖｅｌｌｕｓ）淀积８００ｎｍＳｉＯ２介质层，然后用ＰＶＤ（Ｉｎｖｏａ２００，Ｎｏｖｅｌｌｕｓ）溅射２５ｎｍ的ＴａＮ／Ｔａ扩散阻挡层，再用ＰＶＤ溅射５０ｎｍ的Ｃｕ籽晶层，最后在籽晶Ｃｕ上电镀Ｃｕ；第二种是ｎ型（１００）Ｓｉ片，首先在Ｓｉ片上用ＰＶＤ溅射５ｎｍ的ＴａＳｉＮ扩散阻挡层，然后用ＰＶＤ溅射５ｎｍ的Ｒｕ层，在Ｒｕ层上再电镀Ｃｕ。Ｒｕ是一种过渡金属，电阻率７μΩ?ｃｍ，熔点２３００℃，是最近国际上无籽晶Ｃｕ电镀的一个研究热点。 电镀液为标准ＶＭＳ（ｖｉｒｇｉｎ ｍａｋｅｕｐ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）溶液，其成分为，Ｃｕ２＋１７.５ｇ／Ｌ，Ｈ２ＳＯ４１７５ｇ／Ｌ，Ｃｌ－５０ｍｇ／Ｌ，加速剂２ｍＬ／Ｌ，抑制剂８ｍＬ／Ｌ和整平剂１.５ｍＬ／Ｌ（添加剂均来自美国Ｅｎｔｈｏｎｅ公司）。Ｃｌ－能提高镀层光亮度和平整性，降低镀层的内应力，增强抑制剂的吸附；加速剂通常是含Ｓ或其他官能团的有机物，包括硫脲及其衍生物，它的作用是促进Ｃｕ的成核，使各晶面生长速度趋于均匀；抑制剂包括聚乙二醇（ＰＥＧ）、聚丙烯二醇和聚乙二醇的共聚物等，它的作用是和Ｃｌ离子一起在阴极表面形成一层连续膜以阻止Ｃｕ的沉积；整平剂通常是杂环化合物，一般含有Ｎ原子，它的作用是降低镀层表面粗糙度。 实验中使用方波脉冲。除了不同厚度的织构实验，其余实验均通过设置不同的电镀时间将Ｃｕ镀层厚度较严格地控制在１μｍ。 织构系数以晶面（ｈｋｌ）的织构系数ＴＣ（ｔｅｘｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）来表征晶面择优程度 式中：Ｉ（ｈｋｌ）、Ｉ０（ｈｋｌ）分别表示沉积层试样和标准试样（ｈｋｌ）晶面的衍射线强度；ｎ 为衍射峰个数。当各衍射面的ＴＣ 值相同时，晶面取向是无序的；如果某个（ｈｋｌ）面的ＴＣ 值大于平均值，则该晶面为择优取向，晶面的ＴＣ 值越大，其择优程度越高。 ２ 结果和讨论 ２.１ 直流电镀 图１为直流条件不同织构系数随电流密度的变化曲线，其中（ａ）图为有添加剂情况，（ｂ）图为无添加剂情况。可见，添加剂对镀层织构的影响很明显。没有添加剂时，（１１１）晶面为单一择优晶面，且择优程度较高；有添加剂时，（２００）晶面在１～４ Ａ／ｄｍ２区间内择优程度超过了（１１１）晶面。 ２.２ 脉冲电镀 图２ 为没有添加剂时，不同脉冲条件下织构系数的变化曲线，其中图２（ａ）为固定脉冲时间和关断时间，改变电流密度；图２（ｂ）为固定脉冲峰值电流和关断时间，改变脉冲时间；图２（ｃ）为固定脉冲峰值电流和脉冲时间，改变关断时间。为方便对比，把图２（ｂ）和图２（ｃ）横坐标用占空比来表示。 图２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）都呈现（１１１）晶面高择优。从图２（ｂ）和（ｃ）中相同晶面的曲线可以看出，脉冲时间和关断时间对织构系数的影响很不相同。对比图２（ａ）和图１（ｂ）可以发现，脉冲电镀比直流电镀得到的Ｃｕ（１１１）晶面择优程度稍高。 ２.３Ｒｕ上Ｃｕ电镀 图３为在Ｒｕ衬底上脉冲电镀Ｃｕ，不同织构系数随电流密度的变化曲线。 实验条件为固定ｔｏｎ＝８ｍｓ，ｔｏｆｆ＝２ｍｓ，改变电流密度。 添加剂对织构的影响情况和图１直流电镀的情况类似，添加剂对镀层织构的影响很明显，无添加剂时，（１１１）晶面为单一择优晶面，择优程度较高；有添加剂时，Ｒｕ上的Ｃｕ镀层在大于４Ａ／ｄｍ２时也呈现（１１１）择优。 ２.