【2017年整理】常用发酵产品配方和工艺.docVIP

【2017年整理】常用发酵产品配方和工艺.doc

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【2017年整理】常用发酵产品配方和工艺

部分发酵产品配方和工艺 ?青霉素菌种:产黄青霉H一110 ;培养基:发酵培养基,一玉米浆,磷酸二氢钾,碳酸钙,麸质粉,葡萄糖。将长好的种子移入5m。自动发酵罐。发酵过程各参数控制:PH值6.0~6.5,空气流量6L/min,转速300r/min,培养温度25℃ ,单糖浓度46.8%,发酵全过程采用控制补料。从60小时带放后每4小时补加一次玉米浆,每次补入35ml直到放罐。发酵单位测定是利用高压液相色谱仪用外标法测定。 发酵培养:种子培养基移入发酵罐后(接种量为:1O%),培养温度维持在26 ? 螺旋霉素发酵参考环境:5~100吨罐,搅拌转速115转/分,罐压0.5公斤,最高通风量1:1/分,pH在7左右,培养基主要成分为?,发酵菌种采用螺旋霉素链霉菌,发酵周期130小时左右。根据螺旋霉素生物合成的研究结果, 短链脂肪酸是合成螺旋霉素的前体,结果发现在发酵培养48h后添加O.5%浓度的乙醇, 能够提高其发酵效价1O%左右(表2) 加入豆油能较大幅度地提高螺旋霉素的发酵效价。在培养48 h时加入较在基础料中加入更能提高螺旋霉素发酵效价,豆油的浓度以1%为好。 ? 新霉素发酵参考环境:5~100吨罐,搅拌转速115转/分,罐压0.5公斤,最高通风量1:1/分,pH在7左右,培养基主要成分为热榨的黄豆饼粉,广东的酵母粉,福建的蛋白胨,发酵菌种采用?菌,发酵周期130小时左右。 推荐产品:DF6000K。在新霉素发酵过程中,需不断补充碳源(糖)和氮源(硫酸铵)。若一次补人的糖量太多且供气不足时,碳源氧化不完全,会导致有机酸堆积,则pH值下降;当培养基中的蛋白质、氨基酸或其它含氮的有机物中碳被利用后,将释放出游离NH 使pH值上升。同样,一次补人糖和硫酸铵量的多少,也会使发酵液的pH值发生波动。因此,为了使产生菌生命活动及合成新霉素的各种酶活力发挥得好,必须控制一定的补入量,以补充产生菌正常营养,调节发酵液pH值适合菌体的生长,发育,繁殖和新霉素的合成。在生产中控制pH值的最佳适宜范围在6.5~6.8之间。 ? 利福霉素发酵参考环境:5~100吨罐,搅拌转速115转/分,罐压0.5公斤,最高通风量1:1/分,pH在7左右,培养基主要成分为葡萄糖10%,液化淀粉2%,黄豆饼粉1%,蛋白胨1%,鱼粉0.5%,各种无机盐适量,发酵菌种采用地中海诺卡氏菌,发酵周期130小时左右。 ? 红霉素发酵参考环境:10~100吨罐,搅拌转速115转/分,最高通风量1:1/分,pH自然,发酵菌种采用红色链霉菌;培养基主要成分A:液化淀粉4%,葡萄糖4%,黄豆饼粉4%,正丙醇1%,无机盐适量 B:黄豆饼粉4.0%、葡萄糖4.0%、淀粉4.0%、糊精2.0% 、CaCO3 0.6% 、(NH4)2SO4 0.15%、KH2PO4 0.02%、NaC1 0.2% 、MgSO 0.02%,28℃ ? 洁霉素发酵参考环境:5~100吨罐,搅拌转速115转/分,最高通风量1:1/分,pH在7左右,发酵菌种采用链霉菌,发酵周期150小时。 培养基( %) 黄豆饼粉2.5,玉米浆0.6,(NH )2 SO4? 0.5,NaNO3 0.4,NaC1 0.6,CaCO3 0.9,玉米淀粉2.5,葡萄糖 3.0,KH2PO4 0.07。 发酵工艺 FBC;培养温度:o~60 h,31℃ ;6O~ 13Oh,30℃ ;130 h至放罐31℃ 。 种子培养基淀粉20 g/L ,葡萄糖15 g/L .豆饼粉25 g/L ,CSL 30 g/L ,caco3 5.0 g/L ,pH7.0~7.2 1.3.3 发酵培养基可溶性淀粉30 g/I ,葡萄糖100 g/L ,豆饼粉30 g/L ,(N H4)2SO4 8.0 g/L ,NaNO3 8.0 g/L .KCI 5.0 g/L .CaCO3 9.0 g/L ,pH 6.5~7.0 菌种 Lin一337:皖北药业股份有限公司选育、保存。 1.1.2 发酵培养基 玉米淀粉,2.0% ;葡萄糖,4.0% ;黄豆饼粉,2.0% ;去酚棉子饼粉,0.5% ;玉米浆,0.6% ;氯化钠,0.5% ;碳酸钙,0.5%;硫酸铵,0.3% ;磷酸二氢钾,0.02% ;玉米油,0.06% ;GP,0.03% 发酵液初期粘度最大到130mPas ? 推荐产品:DF6000K。配合豆油使用。 洁霉素发酵参考环境:5~100吨罐,搅拌转速100转/分,通风量1:0.5/分,罐压0.7公斤, pH在6.5~7,培养基( %) 黄豆饼粉2.5%,玉米浆0.6%,(NH )2 SO4? 0.5%,NaNO3 4%,NaC1 0.6%,CaCO3 0.9%,玉米淀粉2.5%,葡萄糖 3.0%,KH2PO4 0.07%。培养温度:0~60 h,31℃ ;6O~ 13Oh

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