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在不同生成温度下，纳米结构氧化锌薄膜的组织与光学性能研究 DongZhang,YingHe,Chang Zheng Wang 中国 山东 省聊城大学 物理科学与信息工程学院. 252029 文章关键词： 氧化锌薄膜 基质温度 光学特性 摘要： 在温度从室温温度到500℃下，在玻璃基质上用脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜，所有的薄膜为六角形纤锌矿结构，呈C—轴方向布置。在X射线分谱仪扫描中，在200℃沉积的薄膜呈最大值的一半狭窄宽度，最高晶粒尺寸，最小宏观应力及最小缺陷点，同时发现在350℃沉积的薄膜呈现更强烈的分散，更强烈的衍射，而且还表现出最强的绿色排放缺陷，最快的增长率和较大的宏观压力。此外，截面图显示所有膜随着圆柱方向变化。 1 前言： 作为宽带隙为3.37ev，激子约束能量为60mev的半导体材料，ZnO 替代压敏电阻，表面声波过滤器，太阳能电池中的透明电极和紫外线放射工具的前景广阔。目前，有许多方法用于生产ZnO膜，其中PLD用于沉淀ZnO薄膜得到了成功的应用。众所周知，用PLD生产的ZnO薄膜的属性取决于一些工艺参数。例如氧气的压力，基质的温度和材料。在这些参数中，基质的温度在ZnO薄膜的生产中起到了关键的作用。因为它与结晶的质量，UV的排放和绿色排放关系密切。Khandelwal发现高C轴偏向ZnO薄膜在150℃的沉淀温度下生长但没有PL谱。大多数研究人员指出300℃以上用PLD沉淀的ZnO薄膜有高的C轴偏向，高的结晶质量及强的UV排放。但目前薄膜的厚度对PL光谱的影响总是得不到重视。因此，在研究中，我们在玻璃基质上用室温在500℃的低基质来沉淀ZnO薄膜，并调查基质温度对结晶，光学透明度特性和发冷光的影响。 2 实验： 在实验中，用PLD技术在玻璃基质准备好ZnO薄膜。激光束是波长为248nm的KrF准分子激光。激光脉冲的频率和每一个脉冲的能量分别为5Hz和100Mj。直径为40nm，纯度为99.99%的ZnO陶瓷样品平行的放在基质上，且与基质的表面距离为5cm。气压力大约为0.000005Pa。在这个过程中，所有的KrF准分子激光用透镜聚焦在ZnO陶瓷样品上。纯度为99.999%的氧气被注入到沉淀室而且沉淀中选用30Pa的氧气压力。样品和基质均为30r/min的速度旋转使ZnO薄膜沉淀时间为两小时。 ZnO薄膜的微观结构用X射线与Cu-Ca放射线衍射和拉曼光谱得出。ZnO薄膜的横截面形态通过电结构扫描描述。ZnO薄膜沉淀室的吸收光谱用UV可视光谱线测量，PL光谱用Edinburgh设备PLS920型光谱线测量，其中激光波长选定为325nm，激光源为 3 结果和讨论： 3.1 结构： 图1表示在玻璃基质上的ZnO薄膜的XRD在不同的基质温度下的形式。可以发现所有的ZnO薄膜都形成六角纤矿结构并显示与ZnO相一致的（100），（002）和（004）衍射峰。（100）和（400）处的衍射峰值强度比较弱，表明ZnO薄膜形成的（002）处的衍射峰值比较弱，其结构随方向而变化。随着基质温度的升高，（002）处的衍射峰值的大小先增加然后减小，在350℃达到最大值。另一方面，表1显示出在不同温度下全宽在ZnO峰XRD形式的半峰值处。从中可以清楚地看出在200℃沉淀的薄膜有最宽的FWHM峰。图2表示在不同温度下沉积的薄膜的摆线的FWHM。可以发现在200℃沉积的ZnO薄膜有最宽的FWHM曲线。 使用Scherrer的公式，可以计算不同温度下ZnO薄膜平均的颗粒大小，如表1所示。200℃是沉积的ZnO薄膜平均颗粒大小最大。目前仍无法全面理解颗粒的结构随高度方向而变化这一问题，但可能是由于电场促进了ZnO薄膜的生长。相关的研究将进一步开展。 对六角纤锌矿结构来说，晶格空间d与下式中的晶格参数有关： 这里h，k和l是铣削指数。a 和c是ZnO结构的晶格参数。表1列出了沉淀温度作为函数时a和c晶格常量的计算值。对ZnO样品，a=b=3.249，c=5.205。表1还列出了在不同沉积温度ZnO薄膜的宏观压力，如下： 这里Cij(ij=1,2,3)代表不同方向上的弹性常量。Co是无缺陷时ZnO薄膜的晶格常量，Cficm是本实验中用到的常量，可以由公式（1）得到。在公式（2）中取Cij分别为C11=208.8,C12=119.7,C33=21.38GPa,我们可以按以下公式得到ZnO薄膜的剩余宏观压力： 实验结果表明，随着温度的升高，ZnO薄膜所受的压力从压力变为拉力。而这力并不是来源于薄膜的热胀系数和基质之间的不同而产生的热应力。据报道在ZnO薄膜的例子中，在样品上产生的氧离子有足够的能量碰撞生长中的薄膜并使表面原子