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化学气相沉积 化学气相沉积（CVD)是利用加热、等离子体激励或光辐射等方法，使气态或蒸汽状态的化学物质发生反应并以原子态沉积在置于适当位置的衬底上，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的过程。 CVD可在常压或低压下进行。通常CVD的反应温度范围大约900～1200℃，它取决于沉积物的特性。 为克服传统CVD的高温工艺缺陷，近年来开发出了多种中温（800 ℃ 以下）和低温（500 ℃ ）以下CVD新技术，由此扩大了CVD技术在表面技术领域的应用范围。 中温CVD的典型反应温度大约500 ～800℃，它通常是采用金属有机化合物在较低温度的分解来实现的，所以又称金属有机化合物CVD。 化学气相沉积在活化方式、涂层材料、涂层结构方面的多样性以及涂层纯度高、工艺简单易行等一系列的特点，化学气相沉积成为一种非常灵活、应用极为广泛的工艺方法，可以用来制备各种涂层、粉末、纤维和成型元器件。 利用化学气相沉积制备薄膜材料首先要选定一个或几个合理的沉积反应。 根据化学气相沉积过程的需要，所选择的化学反应通常应该满足：①反应物质在室温或不太高的温度下最好是气态，或有很高的蒸气压，且有很高的纯度：②通过沉积反应能够形成所需要的材料沉积层：③反应易于控制。 化学气相沉积的化学反应 （1）热分解反应 气态氢化物、羰基化合物以及金属有机化合物与高温衬底表面接触，化合物高温分解或热分解沉积而形成薄膜。 SiH4 Si+2H2 （2）氧化反应 含薄膜元素的化合物与氧气一同进入反应器，形成氧化反应在衬底上沉积薄膜。 SiH4 +O2 SiO2 + 2H2 （3）还原反应 用氢、金属或基材作还原剂还原气态卤化物，在衬底上沉积形成纯金属膜或多晶硅魔。 SiCl4+2Zn Si+2ZnCl2 （4）水解反应 卤化物与水作用制备氧化薄膜或晶须。 SiCl4 +2H2O SiO2+4HCl （5）可逆输送 化学转换或输运过程的特征是在同一反应器维持在不同温度的源区和沉积区的可逆的化学反应平衡状态。 2SiI2 Si+SiI4 （6）形成化合物 有两种或两种以上的气态物质在加热的衬底表面上发生化学反应而沉淀出固态薄膜，这种方法是化学气相沉积中使用最普遍的方法。 3SiH4+4NH3 Si3N4+12H2 （7）聚合反应 利用放电把有机类气体单体等离子化，使其产生各类活性种，由这些活性种之间或活性种与单体间进行加成反应，形成聚合物。 （8）激发反应 利用等离子体、紫外光、激光等方法，使反应气体在基片上沉积出固态薄膜的方法。 化学气相沉积的基本条件 在沉积温度下，反应物必须有足够高的蒸气压 除了需要得到的固态沉积物外，化学反应的生成物都必须是气态 沉积物本身的饱和蒸气压应足够低，以保证它在整个反应、沉积过程中都一直保持在加热的衬底上 化学气相沉积的过程 在反应器内进行的CVD过程，其化学反应是不均匀的，可在衬底表面或衬底表面以外的空间进行。衬底体表面的大致反应过程如下: ①反应气体扩散到衬底表面 ②反应气体分子被表面吸附 ③在表面上进行化学反应、表面移动、成核及膜生长 ④生成物从表面解吸 ⑤生成物在表面扩散 上述诸过程，进行速度最慢的一步限制了整体进行速度。 CVD的特点 （1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而沉积固体。 （2）可以在大气压（常压）或者低于大气压下（低压）进行沉积。一般来说低压效果要好些。 （3）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。 （4）镀层的化学成分可以改变，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。 （5）可以控制镀层的密度和纯度。 （6）绕镀性好，可在复杂形状的基体上以及颗料材料上镀制。 （7）气流条件通常是层流的，在基体表面形成厚的边界层。 （8）沉积层通常具有柱状晶结构，不耐弯曲。但通过各种技术对化学反应进行气相扰动，可以得到细晶粒的等轴沉积层。 （9）可以形成多种金属、合金、陶瓷和化合物镀层。 CVD的最大缺点是沉积温度太高，一般在900～1200℃范围内。在这样的高温下，钢铁工件的晶粒长大导致力学性能下降，故沉积后往往需要增加热处理工序，这就限制了CVD法在钢铁材料上的应用，而多用于硬质合金。 因此CVD研究的一个重要方向就是设法降低工艺温度。 此外，气源和反应后的尾气大多有一定的毒性。 钢铁材料在高温CVD处理后，虽然镀层的硬度很高，但基体被退火软化，在外载下易于塌陷，因此,CVD处理后须再加以淬火回火。 镀层很薄，已镀零件不能再磨削加工。如何防止热处理变形是一个很大的问题