DX型中波发射机电源控制板上Q3场效应管的重要作用.docVIP

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DX型中波发射机电源控制板上Q3场效应管的重要作用.doc

DX型中波发射机电源控制板上Q3场效应管的重要作用   摘 要 文章主要讲述的对象是DX中波发射机电源控制板上Q3场效应管,它在发射机的电源监测和控制上起着桥梁的作用,是决定发射机是否能开启的电源信息收集器和控制开关。   【关键词】DX中波发射机 电源控制板 Q3场效应管 K3继电器 电源设备   1 引言   DX型中波发射机的电源控制板上有个场相应管为Q3,它是一个独立元器件,一般情况下DX型中波发射机都存在一个场相应管即Q3,且Q3附着于电源控制板上,独立存在。   但是在线路中起到非常重要的作用。光电继电器K3的发光继电器线路转接在Q3结构较为特殊,其中漏源极承载了监测信号的作用,由此可对故障进行判别。Q3场效应管是否能导通决定于栅极所连接的信号状态,Q3的通断直接决定着继电器K3的通断,K3继电器的通断,决定着发射机功放单元的驱动电源是否能被接通,这直接影响着发射机能否正常开机。在这篇文章里,我们将详述这部分的内容,希望和大家分享。   2 场效应管Q3的连接线路图   为了能更好地说明问题,请参考场效应管Q3的连接线路简略图,图1如下:   从图1我们可以看出,发射机故障状态监测信号连接在场效应管Q3的栅极上,继电器K3的发光二极管上串联着Q3场效应管的漏源极。   3 场效应管Q3导通的条件   通常情况下Q3栅极与检测信号相连接,主要用于故障检测。信号均保持低电平状态。但是可利用反向转换作用将其转变为高电平。当数个信号当中某个处于高电平状态时,反相器则转换为低电平,另外与之并联的信号因为并联线路的关系都会被拉为低电平,那么场效应管栅极输入的就将是低电平信号,这样就不满足场效应管的导通条件,Q3将无法开通。那么,场效应管Q3栅极上输入的信号是否表现为高电平,是由哪些因素决定的呢?下面我们将根据每个状态信号代表的内容,分别进行具体的理论分析,详细的线路请参考DX200中波发射机图纸。   3.1 联锁开关信号状态   联锁开关故障信号由联锁开关状态形成,从整流柜后行程开关的常开触点(S4),它代表的内容是整流柜开关状态的开关状态。在整流柜后门在常闭状态,门内的行程开关(S4)的作用机理,常开触点将被关闭,场效应晶体管Q3反馈的为高电平信号,接触状态,与Q3传导条件符合性。整流器的功率放大器单元的电源单元,内部设备有205VDC电压,是一个危险的地区,若不将其关闭,将无法使其处于隔离态,这将对发射机实际操作带来影响,并且对人身安全及设备安全会带来制约。   3.2 温度状态信号   在设备运行过程中温度监控也是一个十分重要的环节,温度故障信号主要通过温度状态进行判别并收集,而这个过程则通过温度传感器实现。基于热电效应温度传感器可灵敏地探查到温度变化情况,其中热电偶发挥了主要作用。当温度梯度从高温区域向低温区域过渡时将会产生电荷堆积或出现电流,这主要是由电子逆向运动导致。若以电阻与温度来体现该过程即电阻将受到温度影响,温度愈高这电阻愈大,电阻增大必然会导致电流量下降。当电流量逐渐下降超过某临界值时,也就是说电流量几乎小到可忽略不计时可将电路视作为短路状态,因此在图纸设计过程中可通过开关的形式对温度传感器进行表达。当发射机处于工作态时若发现可控硅工作温度处于较高水平时,此时温度传感器将会发出电信号使线路被隔断,且得到的反馈信号为低电平,也就是说与Q3导通条件相违背,若温度恢复正常态,所得到的反馈信号为高电平及保持导通状态。   与可控硅温度检测方法趋同,阻流电感线圈温度状态信号转化为电感线圈温度故障信号,而变压器冷却状态信号转化为变压器温度故障信号。对阻流电感线线圈的温度感应主要由谓语整流柜中的L2线圈实现,在整流电路中L2电路与250VDC电源三相可控整流桥共同组成整流电路的故障检测部分,主要起到电源的滤波作用。变压器的温度故障信号主要由发射机的高压整流变压器发出,这一机构是系统发射机之外的最大变压器,为系统内部250VDC发射机提供功放电源,并为125VDC驱动及电源和125VDC二进制功率发达模块提供电源支持。当上述系统的温度超过各自的预设温度界限时,高压整流变压器会将故障信息反馈给Q3场效应管栅低电平信号。   3.3 电流故障信号   电流故障信号,源于电流互感器TI的电流取样,检测的是整流柜的205VAC三相输入电源。205VAC三相电源由发射机高压变压器从10KV电源变压获得。电流互感器T1对205VAC电源进行电流取样,取样信号经过CR1整流桥整流,经过滤波电路滤波,与由电阻R105(100K)设置的门限值进行比较(门限值大小依据设备自身状态调整),比较电路用电压比较器LM339芯片构建。当205VAC电源出现缺相、电压过低或电源不平衡,取样电流低于门限值时,电

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